[实用新型]一种用于扩散炉的加热装置及保温扩散炉系统有效
| 申请号: | 201720288379.X | 申请日: | 2017-03-23 |
| 公开(公告)号: | CN206558484U | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
| 发明(设计)人: | 沈波涛;杨健;党纪东 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司: | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251 | 代理人: | 陆金星 |
| 地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本实用新型公开了一种用于扩散炉的加热装置,包括导热管体和传热至导热管体的加热元件,导热管体的进气口经第一单向阀与一载气源连接以从载气源接收载气,导热管体的出气口经第二单向阀与一扩散炉连接以向扩散炉输送载气。通过增设一加热装置,当扩散炉炉门打开后,加热装置中的高温载气通入扩散炉中,可以较快速的使晶体硅太阳能电池温度达到工艺要求,并保持管内气氛的稳定,减少升温的时间,可以提升单位时间内的产能。本实用新型还提供一种保温扩散炉系统,包括载气源、扩散源、进气管、扩散炉以及上述加热装置,载气源中载气携带扩散源中扩散元素经进气管均匀输送至扩散炉中,载气源中载气经加热装置加热后输送至扩散炉中。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 用于 扩散 加热 装置 保温 系统 | ||
【主权项】:
一种用于扩散炉的加热装置,其特征在于,包括导热管体和传热至所述导热管体的加热元件,所述导热管体的进气口经第一单向阀与一载气源连接以从所述载气源接收载气,所述导热管体的出气口经第二单向阀与一扩散炉连接以向所述扩散炉输送载气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





