[实用新型]半导体功率器件有效
| 申请号： | 201720287510.0 | 申请日： | 2017-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN206564256U | 公开（公告）日： | 2017-10-17 |
| 发明（设计）人： | 马强 | 申请（专利权）人： | 苏州远创达科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人： | 范晴;丁浩秋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体功率器件，包括半导体本体，半导体本体包括最下层的半导体衬底区、设于半导体衬底区上的半导体外延层以及最上层的半导体介质层，半导体介质层内设有源、漏、栅以及从栅向漏漂移区的水平方向上依次设置的至少一个漏极场板，与栅相邻的第一漏极场板设置有一肩部，所述肩部在漏漂移区上向栅方向延伸与栅重叠，所述肩部与栅重叠长度不大于0.2um，所述栅和肩部上方设置有栅极场板，所述栅极场板接地。缓解了栅漏电容Cgd与寄生电容Cgs和Cds之间的矛盾，改善了放大器器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体功率器件，包括半导体本体，半导体本体包括最下层的半导体衬底区、设于半导体衬底区上的半导体外延层以及最上层的半导体介质层，半导体介质层内设有源、漏、栅以及从栅向漏漂移区的水平方向上依次设置的至少一个漏极场板，与栅相邻的第一漏极场板设置有一肩部，所述肩部在漏漂移区上向栅方向延伸与栅重叠，其特征在于，所述肩部与栅重叠长度不大于0.2um，所述栅和肩部上方设置有栅极场板，所述栅极场板接地。
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