[实用新型]边缘终止的半导体器件有效
| 申请号： | 201720199033.2 | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN206490066U | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | G·H·罗切尔特;G·M·格里弗纳 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实用新型申请的一个方面提供了一种边缘终止的半导体器件，其特征在于包括衬底，该衬底为高度掺杂的第一类型的半导体；位于衬底上的第一外延层，该第一外延层为轻度掺杂的第一类型的半导体；位于第一外延层上的第二外延层，该第二外延层为轻度掺杂的第二类型的半导体以用于与第一外延层一起形成竖直二极管；边缘终止结构，该边缘终止结构包括位于第二外延层中的终止阱，该终止阱为中度掺杂的第一类型的半导体以用于与第二外延层一起形成水平二极管；以及电场屏障，该电场屏障包括至少一个竖直沟槽，所述至少一个竖直沟槽延伸穿过终止阱进入到第一外延层中并且暴露侧壁区，该侧壁区经由沟槽侧壁被掺杂成中度掺杂的第二类型的半导体；以及位于所述至少一个竖直沟槽中的侧壁层，所述侧壁层包括将终止阱电耦接到衬底的中度掺杂的第一类型的半导体。屏蔽所述器件的有源区域以免受到边缘损伤的不可预知的影响的技术问题由此通过包括新型边缘终止结构而解决。 | ||
| 搜索关键词： | 边缘 终止 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种边缘终止的半导体器件，其特征在于包括：衬底，所述衬底为高度掺杂的第一类型的半导体；所述衬底上的第一外延层，所述第一外延层为轻度掺杂的所述第一类型的半导体；所述第一外延层上的第二外延层，所述第二外延层为轻度掺杂的第二类型的半导体以与所述第一外延层一起形成竖直二极管；边缘终止结构，包括：所述第二外延层中的终止阱，所述终止阱为中度掺杂的所述第一类型的半导体以与所述第二外延层一起形成水平二极管；以及电场屏障，包括：至少一个竖直沟槽，所述至少一个竖直沟槽延伸穿过所述终止阱进入到所述第一外延层中并且暴露侧壁区，所述侧壁区经由沟槽侧壁被掺杂成中度掺杂的所述第二类型的半导体；以及所述至少一个竖直沟槽中的侧壁层，所述侧壁层包括将所述终止阱电耦接到所述衬底的中度掺杂的所述第一类型的半导体。
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