[实用新型]边缘终止的半导体器件

权利要求书

1.一种边缘终止的半导体器件，其特征在于包括：

衬底，所述衬底为高度掺杂的第一类型的半导体；

所述衬底上的第一外延层，所述第一外延层为轻度掺杂的所述第一类型的半导体；

所述第一外延层上的第二外延层，所述第二外延层为轻度掺杂的第二类型的半导体以与所述第一外延层一起形成竖直二极管；

边缘终止结构，包括：

所述第二外延层中的终止阱，所述终止阱为中度掺杂的所述第一类型的半导体以与所述第二外延层一起形成水平二极管；以及

电场屏障，包括：

至少一个竖直沟槽，所述至少一个竖直沟槽延伸穿过所述终止阱进入到所述第一外延层中并且暴露侧壁区，所述侧壁区经由沟槽侧壁被掺杂成中度掺杂的所述第二类型的半导体；以及

所述至少一个竖直沟槽中的侧壁层，所述侧壁层包括将所述终止阱电耦接到所述衬底的中度掺杂的所述第一类型的半导体。

2.根据权利要求1所述的边缘终止的半导体器件，其特征在于，所述电场屏障还包括导电性沟槽填充材料。

3.根据权利要求2所述的边缘终止的半导体器件，其特征还在于包括：

所述第二外延层上方的夹层电介质；以及

所述电场屏障上方的所述夹层电介质上方的漏极密封环，其中所述漏极密封环连接到所述导电性沟槽填充材料。

4.根据权利要求1所述的边缘终止的半导体器件，其特征在于，所述电场屏障还包括绝缘性沟槽填充材料。

5.根据权利要求4所述的边缘终止的半导体器件，其特征还在于包括：

凹陷到所述绝缘性沟槽填充材料中的栅极；

所述第二外延层上方的夹层电介质；以及

所述电场屏障上方的所述夹层电介质上方的漏极密封环，其中所述漏极密封环连接到所述栅极。

6.根据权利要求1所述的边缘终止的半导体器件，其特征在于，所述边缘终止结构还包括所述电场屏障周围的物理屏障，所述物理屏障包括：

第二竖直沟槽，所述第二竖直沟槽延伸穿过所述终止阱进入到所述第一外延层中并且暴露侧壁区，所述侧壁区经由沟槽侧壁被掺杂成中度掺杂的所述第二类型的半导体；

所述第二竖直沟槽中的侧壁层，所述侧壁层包括将所述终止阱电耦接到所述衬底的中度掺杂的所述第一类型的半导体；以及

所述侧壁层之间的沟槽填充层。

7.根据权利要求6所述的边缘终止的半导体器件，其特征在于，所述沟槽填充层包括二氧化硅。

8.根据权利要求6所述的边缘终止的半导体器件，其特征在于，所述边缘终止结构还包括由所述电场屏障包围的电流屏障，所述电流屏障包括：

第三竖直沟槽，所述第三竖直沟槽从所述第二外延层的表面向下延伸到所述第一外延层中并且暴露侧壁区，所述侧壁区经由沟槽侧壁被掺杂成中度掺杂的所述第二类型的半导体；

所述第三竖直沟槽中的侧壁层，所述侧壁层包括电耦接到所述衬底的中度掺杂的所述第一类型的半导体；以及

所述侧壁层之间的绝缘性沟槽填充层。

9.根据权利要求8所述的边缘终止的半导体器件，其特征在于，所述第一类型为n型，并且所述第二类型为p型。

10.根据权利要求8所述的边缘终止的半导体器件，其特征在于，所述第一类型为p型，并且所述第二类型为n型。