[实用新型]一种具有高能量空穴的发光二极管有效
| 申请号： | 201720175505.0 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN206471347U | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 宋长伟;程志青;徐志波;黄文宾;林兓兓;蔡吉明;张家宏 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种具有高能量空穴的发光二极管，包括衬底、位于所述衬底上的P型层、位于所述P型层上的多量子阱层，以及位于所述多量子阱层上的N型层，其特征在于所述P型层为AlN层与AlGaN层的交替层叠结构。采用PVD在衬底上生长AlN层提高了底层的晶体质量，然后在AlN层上设置一P型杂质聚集层，P型杂质的迁移作用，使得AlN层为非故意掺杂结构，然后再设置一MOCVD法制备的P型掺杂AlGaN层，由此组成的P型层具有不仅具有较高的晶体质量而且其中的空穴能量较高，提高发光二极管的有效复合辐射效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 高能量 空穴 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种具有高能量空穴的发光二极管，包括衬底、位于所述衬底上的P型层、位于所述P型层上的多量子阱层，以及位于所述多量子阱层上的N型层，其特征在于：所述P型层为AlN层与AlGaN层的交替层叠结构。
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