[实用新型]一种具有高能量空穴的发光二极管有效
| 申请号： | 201720175505.0 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN206471347U | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 宋长伟;程志青;徐志波;黄文宾;林兓兓;蔡吉明;张家宏 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06 |
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| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 高能量 空穴 发光二极管 | ||
1.一种具有高能量空穴的发光二极管，包括衬底、位于所述衬底上的P型层、位于所述P型层上的多量子阱层，以及位于所述多量子阱层上的N型层，其特征在于：所述P型层为AlN层与AlGaN层的交替层叠结构。
2.根据权利要求1所述的一种具有高能量空穴的发光二极管，其特征在于：所述P型层为AlN/AlGaN/AlN多层结构。
3.根据权利要求1或2所述的一种具有高能量空穴的发光二极管，其特征在于：所述AlN层上还设置一P型杂质聚集层。
4.根据权利要求3所述的一种具有高能量空穴的发光二极管，其特征在于：所述AlN层为采用PVD法制备的非故意掺杂结构层。
5.根据权利要求3所述的一种具有高能量空穴的发光二极管，其特征在于：所述AlGaN层为采用MOCVD法制备的P型掺杂层。
6.根据权利要求5所述的一种具有高能量空穴的发光二极管，其特征在于：所述AlN层、P型杂质聚集层和AlGaN层组成具有较高空穴能量的P型层。
7.根据权利要求1所述的一种具有高能量空穴的发光二极管，其特征在于：所述AlN层与AlGaN层为周期性交替层叠，其周期数为2~10。
8.根据权利要求1所述的一种具有高能量空穴的发光二极管，其特征在于：所述AlGaN层的厚度为100Å~300 Å。
9.根据权利要求1所述的一种具有高能量空穴的发光二极管，其特征在于：所述P型层与所述多量子阱层之间还包括一缓冲层。
10.根据权利要求1所述的一种具有高能量空穴的发光二极管，其特征在于：所述P型层的厚度为200Å~500 Å。
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