[实用新型]半导体气体传感器有效

专利信息
申请号: 201720128973.2 申请日: 2017-02-13
公开(公告)号: CN206573518U 公开(公告)日: 2017-10-20
发明(设计)人: 李汉春;罗睿恩;李周炫 申请(专利权)人: 东部HITEK株式会社
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12
代理公司: 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙)31239 代理人: 余文娟
地址: 韩国首尔*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体气体传感器包括基板,其具有腔室;第一绝缘层,其形成在所述基板上且包括在与所述腔室和所述腔室的外周部分相应的位置上形成的暴露孔;第二绝缘层,其形成在所述第一绝缘层上且覆盖所述暴露孔;加热电极,其形成在所述第二绝缘层上且形成在与所述腔室相应的位置上;感测电极,其形成在所述加热电极上方且与所述加热电极电绝缘;检测层,其覆盖所述感测电极且当与预定种类的气体相作用时能够具有可变电阻;以及通风孔,其是通过穿透所述第二绝缘层以与所述暴露孔相连通而形成的,且所述通风孔能够在相关于所述基板的向上的方向上散发源于所述加热电极的热量。因此,所述暴露孔和所述腔室可减少薄膜向所述腔室的下陷且可迅速且有效地散发源于所述加热电极的热量。
搜索关键词: 半导体 气体 传感器
【主权项】:
一种半导体气体传感器,其包括:基板,其具有腔室;第一绝缘层,其形成在所述基板上且包括在与所述腔室和所述腔室的外周部分相应的位置上形成的暴露孔;第二绝缘层,其形成在所述第一绝缘层上且覆盖所述暴露孔;加热电极,其形成在所述第二绝缘层上且形成在与所述腔室相应的位置上;感测电极,其形成在所述加热电极上方且与所述加热电极电绝缘;检测层,其覆盖所述感测电极且当与预定种类的气体相作用时能够具有可变的电阻;以及通风孔,其是通过穿透所述第二绝缘层以与所述暴露孔相连通而形成的,且所述通风孔能够在相关于所述基板的向上的方向上散发源于所述加热电极的热量。
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