[实用新型]半导体气体传感器

权利要求书

1.一种半导体气体传感器，其包括：

基板，其具有腔室；

第一绝缘层，其形成在所述基板上且包括在与所述腔室和所述腔室的外周部分相应的位置上形成的暴露孔；

第二绝缘层，其形成在所述第一绝缘层上且覆盖所述暴露孔；

加热电极，其形成在所述第二绝缘层上且形成在与所述腔室相应的位置上；

感测电极，其形成在所述加热电极上方且与所述加热电极电绝缘；

检测层，其覆盖所述感测电极且当与预定种类的气体相作用时能够具有可变的电阻；以及

通风孔，其是通过穿透所述第二绝缘层以与所述暴露孔相连通而形成的，且所述通风孔能够在相关于所述基板的向上的方向上散发源于所述加热电极的热量。

2.根据权利要求1所述的半导体气体传感器，其还包括：

至少一个突出部分，其从所述第二绝缘层的下表面突出，所述突出部分形成在与所述腔室的所述外周部分相应的位置上以抑制所述第二绝缘层下陷至所述腔室。

3.根据权利要求2所述的半导体气体传感器，其中所述突出部分形成在所述暴露孔中以面对所述基板且所述突出部分与所述基板的上表面间隔开。

4.根据权利要求2所述的半导体气体传感器，其中多个突出部分沿所述腔室的圆周线形成且彼此相分离。

5.根据权利要求2所述的半导体气体传感器，其中所述突出部分与所述第一绝缘层相分离。

6.根据权利要求2所述的半导体气体传感器，其中所述突出部分具有柱形。

7.根据权利要求2所述的半导体气体传感器，其中所述突出部分与所述第二绝缘层一体形成。

8.根据权利要求1所述的半导体气体传感器，其中所述腔室和所述暴露孔中的每一个具有圆筒形。

9.根据权利要求1所述的半导体气体传感器，其中所述通风孔在平面图中位于所述腔室的外部。

10.根据权利要求1所述的半导体气体传感器，其还包括：

加热垫，其形成在所述第二绝缘层上以及所述暴露孔的外面，所述加热垫被电连接至所述加热电极；

感测垫，其与所述感测电极共面形成，所述感测垫与所述感测电极电连接；以及

第三绝缘层，其形成在具有所述加热电极和所述加热垫的所述第二绝缘层上且包括上表面，在所述上表面上形成有所述感测电极和所述感测垫，以使得所述第三绝缘层将所述加热电极与所述感测电极相绝缘，

其中，所述通风孔从所述第二绝缘层和所述第三绝缘层穿透。

11.根据权利要求1所述的半导体气体传感器，其中所述第一和所述第二绝缘层中的一个包括氧化硅，且所述第一和所述第二绝缘层中的另一个包括氮化硅。