[发明专利]TSV封装结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201711489572.0 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109994422B | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 林耀剑 | 申请（专利权）人： | 江苏长电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/31;H01L23/48 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 214431 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TSV封装结构，包括TSV晶圆，TSV晶圆包括若干贯穿蚀刻的第一通孔，第一通孔的内壁涂布有导电材料，以使TSV晶圆的正面与背面电性导通，TSV晶圆的背面和侧面选择性铺设有连接线路，TSV封装结构还包括装配至所述TSV晶圆的背面的增强结构，增强结构包括背离所述TSV晶圆的背面一侧设置的第一电连接端以及与连接线路相对接且电性导通的第二电连接端，其中，第一电连接端与第二电连接端电性导通；本发明提出的TSV封装结构，通过将增强结构装配至TSV晶圆，保证了低CTE和高强度、高模量的同时也保证了封装的较高的强度和较低的翘曲。同时本发明提出的TSV封装结构制备方法能同时满足降低TSV成本和保证封装强度与翘曲的要求。 | ||
| 搜索关键词： | tsv 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种TSV封装结构，包括TSV晶圆，所述TSV晶圆包括若干贯穿蚀刻的第一通孔，所述第一通孔的内壁涂布有导电材料，以使所述TSV晶圆的正面与背面电性导通，所述TSV晶圆的背面和侧面选择性铺设有连接线路，其特征在于，所述TSV封装结构还包括装配至所述TSV晶圆的背面的增强结构，所述增强结构包括背离所述TSV晶圆的背面一侧设置的第一电连接端以及与所述连接线路相对接且电性导通的第二电连接端，其中，所述第一电连接端与第二电连接端电性导通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
