[发明专利]TSV封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种TSV封装结构，包括TSV晶圆，所述TSV晶圆包括若干贯穿蚀刻的第一通孔，所述第一通孔的内壁涂布有导电材料，以使所述TSV晶圆的正面与背面电性导通，所述TSV晶圆的背面和侧面选择性铺设有连接线路，其特征在于，所述TSV封装结构还包括装配至所述TSV晶圆的背面的增强结构，所述增强结构包括背离所述TSV晶圆的背面一侧设置的第一电连接端以及与所述连接线路相对接且电性导通的第二电连接端，其中，所述第一电连接端与第二电连接端电性导通，所述增强结构包括增强板；

所述TSV封装结构还包括覆盖于TSV晶圆的背面和侧面的塑封膜，所述塑封膜为ABFEMC膜、颗粒EMC或液态EMC，且所采用的材料有比Si和中介层更大的CTE和更低的模量；

所述增强板埋设于所述塑封膜内或贴设于所述塑封膜表面。

2.根据权利要求1所述的TSV封装结构，其特征在于，所述TSV封装结构还包括覆盖于所述TSV晶圆的背面和侧面的塑封膜。

3.根据权利要求1所述的TSV封装结构，其特征在于，所述增强板上贯穿有第二通孔，所述第二通孔连通第一电连接端和第二电连接端并与所述连接线路相对应，其中，所述第二通孔的内壁涂布有导电材料。

4.根据权利要求3所述的TSV封装结构，其特征在于，所述增强板设置为纤维颗粒增强高分子板。

5.根据权利要求1所述的TSV封装结构，其特征在于，所述第二电连接端与所述连接线路之间通过铜块或锡球电性导通。

6.根据权利要求1所述的TSV封装结构，其特征在于，所述第二电连接端与所述连接线路之间通过导电粘结剂电性导通。

7.一种TSV封装结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供包括载板的TSV晶圆；

提供增强结构，所述增强结构包括增强板，在所述增强板上贯穿有第二通孔，所述第二通孔与连接线路相对应并连通第一电连接端和第二电连接端，同时，所述第二通孔的内壁涂布导电材料；

将增强结构装配至TSV晶圆的背面，同时将所述第二电连接端与连接线路对接并实现电性导通；

将塑封膜包完全覆盖所述增强结构和TSV晶圆，所述塑封膜为ABF EMC膜、颗粒EMC或液态EMC，且所采用的材料有比Si和中介层更大的CTE和更低的模量；

将塑封膜进行减薄和防漏电与表面处理以使所述第一电连接端暴露并进行防氧化保护；

去除载板或对载板进行减薄抛光；

切割分离。

8.根据权利要求7所述的TSV封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤“提供包括载板的TSV晶圆”还包括：

在所述TSV晶圆的正面覆盖有保护层。

9.根据权利要求7所述的TSV封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤“将增强结构装配至TSV晶圆的背面，同时将所述第二电连接端与连接线路对接并实现电性导通”具体包括：

将所述第二电连接端与所述连接线路之间通过铜块或锡球电性导通，或通过导电粘结剂电性导通。

10.一种TSV封装结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供包括载板的TSV晶圆；

在所述TSV晶圆的背面设置有导通引脚，所述导通引脚设置为铜柱或锡球；

将塑封膜完全覆盖TSV晶圆的背面和侧面，所述塑封膜为ABF EMC膜、颗粒EMC或液态EMC，且所采用的材料有比Si和中介层更大的CTE和更低的模量；

提供增强结构，所述增强结构包括增强板，在所述增强板上贯穿有第二通孔，所述第二通孔与连接线路相对应并连通第一电连接端和第二电连接端，同时，所述第二通孔的内壁涂布有导电材料；

将所述增强结构贴设于塑封膜上并进行压力高温固化；

在所述第二通孔内植入锡球使之与所述连接线路之间通过导通引脚电性导通；

去除载板或对载板进行减薄抛光；

切割分离。