[发明专利]高频三极管的制作方法有效
| 申请号： | 201711486060.9 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108198755B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 覃尚育;胡慧雄;黄寅财;邓林波;杜永琴 | 申请（专利权）人： | 深圳市金誉半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/331;H01L29/10 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 李明香 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种高频三极管的制作方法。所述制作方法包括以下步骤：提供N型外延层，在N型外延层依序形成P型多晶硅与TEOS介质层；对TEOS介质层及P型多晶硅进行刻蚀，从而形成贯穿TEOS介质层及P型多晶硅并延伸至N型外延层中的发射区沟槽；在P型多晶硅底部的N型外延层表面形成P型扩散区；利用发射区沟槽对发射区沟槽的一侧的侧壁及底部进行第一次离子注入，第一次离子注入的方向相对于发射区沟槽一侧的侧壁是倾斜的；利用发射区沟槽对发射区沟槽的另一侧的侧壁及底部进行第二次离子注入，第二次离子注入的方向相对于发射区沟槽一侧的侧壁是倾斜的；利用发射区沟槽对发射区沟槽的底部进行第三次离子注入，形成位于发射区沟槽底部及侧壁的发射结。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 三极管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种高频三极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：提供N型外延层，在所述N型外延层依序形成P型多晶硅与TEOS介质层；对所述TEOS介质层及所述P型多晶硅进行刻蚀，从而形成贯穿所述TEOS介质层及所述P型多晶硅并延伸至所述N型外延层中的发射区沟槽；在所述P型多晶硅底部的N型外延层表面形成P型扩散区；利用所述发射区沟槽对所述发射区沟槽的一侧的侧壁及底部进行第一次离子注入，所述第一次离子注入的方向相对于所述发射区沟槽一侧的侧壁是倾斜的；利用所述发射区沟槽对所述发射区沟槽的另一侧的侧壁及底部进行第二次离子注入，所述第二次离子注入的方向相对于所述发射区沟槽一侧的侧壁是倾斜的；利用所述发射区沟槽对所述发射区沟槽的底部进行第三次离子注入，从而形成位于所述发射区沟槽底部及侧壁的发射结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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