[发明专利]高频三极管的制作方法

说明书

本发明涉及一种高频三极管的制作方法。所述制作方法包括以下步骤：提供N型外延层，在N型外延层依序形成P型多晶硅与TEOS介质层；对TEOS介质层及P型多晶硅进行刻蚀，从而形成贯穿TEOS介质层及P型多晶硅并延伸至N型外延层中的发射区沟槽；在P型多晶硅底部的N型外延层表面形成P型扩散区；利用发射区沟槽对发射区沟槽的一侧的侧壁及底部进行第一次离子注入，第一次离子注入的方向相对于发射区沟槽一侧的侧壁是倾斜的；利用发射区沟槽对发射区沟槽的另一侧的侧壁及底部进行第二次离子注入，第二次离子注入的方向相对于发射区沟槽一侧的侧壁是倾斜的；利用发射区沟槽对发射区沟槽的底部进行第三次离子注入，形成位于发射区沟槽底部及侧壁的发射结。

【技术领域】

本发明涉及半导体制造工艺技术领域，特别地，涉及一种高频三极管的制作方法。

【背景技术】

高频三极管区别于普通三极管的特征主要是其晶体管特征尺寸小、击穿电压低、特征频率极高，制作工艺难度大。其一般应用在VHF、 UHF、CATV、无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器上，这些使用场合大都用在低电压、小信号、小电流、低噪声条件下。

现有一种高频三极管的结构中，采用了两种多晶硅。一种多晶硅是n+多晶硅层，这一方面是用来减小基区的表面复合速度，以提高发射结注入效率，增大电流增益；另一方面是用来制作n+浅基区(利用 n+多晶硅中杂质的外扩散来形成浅发射结)。第二种多晶硅是p+多晶硅层，利用其中杂质的外扩散来形成p+外基区、并与基区窗口自对准，这不仅可以减小外基区的电阻，而且也减小了器件的有效总面积，使得集电区-基区之间的电容以及集电区-衬底之间的电容得以减小，这可提高晶体管的频率特性。

现有高频三极管在进行基区注入时，理想形貌下，基区与两侧的 P型扩散区存在一定的交叠；在典型形貌下，基区与两侧的P型扩散区交叠面积变小，这将导致基区电阻大幅升高，影响器件的性能；在极端工艺情况下，基区与两侧的P型扩散区不能有效相连，导致器件失效。

【发明内容】

鉴于以上，本发明为一种高频三极管的制作方法。

一种高频三极管的制作方法，其包括以下步骤：

提供N型外延层，在所述N型外延层依序形成P型多晶硅与TEOS 介质层；

对所述TEOS介质层及所述P型多晶硅进行刻蚀，从而形成贯穿所述TEOS介质层及所述P型多晶硅并延伸至所述N型外延层中的发射区沟槽；

在所述P型多晶硅底部的N型外延层表面形成P型扩散区；

利用所述发射区沟槽对所述发射区沟槽的一侧的侧壁及底部进行第一次离子注入，所述第一次离子注入的方向相对于所述发射区沟槽一侧的侧壁是倾斜的；

利用所述发射区沟槽对所述发射区沟槽的另一侧的侧壁及底部进行第二次离子注入，所述第二次离子注入的方向相对于所述发射区沟槽一侧的侧壁是倾斜的；

利用所述发射区沟槽对所述发射区沟槽的底部进行第三次离子注入，从而形成位于所述发射区沟槽底部及侧壁的发射结。

在一种实施方式中，所述第一、第二及第三次离子注入的注入离子包括BF₂。

在一种实施方式中，所述第一次离子注入的方向相对于所述发射区沟槽一侧的侧壁的倾斜角度与所述第二次离子注入的方向相对于所述发射区沟槽另一侧的侧壁的倾斜角度相等。

在一种实施方式中，所述第三次离子注入的方向与所述发射区沟槽底部的表面垂直。

在一种实施方式中，所述第三次离子注入的方向与所述发射区沟槽两侧的表面平行。

在一种实施方式中，所述第一次离子注入的方向相对于所述发射区沟槽一侧的侧壁的倾斜角度在15度至45度的范围内。