[发明专利]一种功率MOSFET的缓变掺杂材料片及其制造方法有效
| 申请号： | 201711480990.3 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108305900B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 肖添;唐昭焕;胡镜影;李孝权;钟怡;杨婵 | 申请（专利权）人： | 重庆中科渝芯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 重庆大学专利中心 50201 | 代理人： | 王翔 |
| 地址： | 401332 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率MOSFET的缓变掺杂材料片及其制造方法；其特征在于：包括第一导电类型的高掺杂衬底、第一导电类型的缓变外延层区和第一导电类型的顶层外延层；通过多个单层的、浓度依次减低的过渡外延层组合形成的缓变外延层区，增大的MOSFET中寄生三极管集电区寄生电阻，能有效的抑制了单粒子烧毁效应；具有工艺实现简单、工艺效果可控、易重复的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 mosfet 掺杂 材料 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率MOSFET的缓变掺杂材料片，其特征在于：包括第一导电类型的高掺杂衬底(101)、第一导电类型的缓变外延层区(102)和第一导电类型的顶层外延层(103)；所述第一导电类型的缓变外延层区(102)覆盖于第一导电类型的高掺杂衬底(101)之上；所述第一导电类型的顶层外延层(103)覆盖于第一导电类型的缓变外延层区(102)之上；所述第一导电类型的缓变外延层区(102)由多个单层的过渡外延层构成；所述多个单层的过渡外延层的掺杂浓度依次降低，所述过渡外延层的最大浓度不大于第一导电类型的高掺杂衬底(101)的浓度、最小浓度不小于第一导电类型的顶层外延层(103)的浓度。所述多个单层的过渡外延层按浓度高低排序，依次覆盖于第一导电类型的高掺杂衬底(101)之上；当完成外延时，所述多个单层的过渡外延层的整体结构呈阶梯状；当经过整个功率MOSFET高温推进加工后，所述多个单层的过渡外延层的整体结构呈缓坡状。
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