[发明专利]半导体芯片的封装结构及封装方法在审
申请号: | 201711475996.1 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN108010877A | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
发明(设计)人: | 仇月东;林正忠 | 申请(专利权)人: | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L23/13 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 罗泳文 |
地址: | 214437 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体芯片的封装结构及封装方法,所述封装结构包括:半导体芯片以及包覆于所述半导体芯片的封装材料层,所述封装材料层具有相对的第一平面与第二平面,所述半导体芯片的电引出结构显露于所述封装材料层的所述第一平面。本发明通过采用将支撑基底的表面设计呈弧面弯曲,可以有效减小由所述支撑基底与所述封装材料的热膨胀系数的不匹配而引起的所述封装材料的翘曲,分离后的封装材料层表面平整无翘曲,可有利于后续工艺的进行,如重新布线层的制作及金属凸块的制作等,提高封装工艺的稳定性和良率。本发明与现有的封装工艺兼容,不需要额外调整工艺步骤或增加制程设备,可有效降低工艺成本。 | ||
搜索关键词: | 半导体 芯片 封装 结构 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体芯片的封装方法,其特征在于,包括步骤:1)提供一支撑基底,所述支撑基底具有第一面及与所述第一面相对的第二面,于所述支撑基底衬底的所述第一面形成分离层;2)提供半导体芯片,将所述半导体芯片粘附于所述分离层上,其中,所述半导体芯片具有电引出结构的一面朝向所述分离层;3)采用封装材料对所述半导体芯片进行封装;以及4)基于所述分离层分离所述封装材料与所述支撑衬底,使得所述半导体芯片具有电引出结构的一面与所述封装材料的下表面处于同一平面;其中,所述支撑基底的第一面呈弧面弯曲,以减小由所述支撑基底与所述封装材料的热膨胀系数的不匹配而引起的所述封装材料的翘曲。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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