[发明专利]半导体芯片的封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种半导体芯片的封装方法，其特征在于，包括步骤：

1)提供一支撑基底，所述支撑基底具有第一面及与所述第一面相对的第二面，于所述支撑基底衬底的所述第一面形成分离层；

2)提供半导体芯片，将所述半导体芯片粘附于所述分离层上，其中，所述半导体芯片具有电引出结构的一面朝向所述分离层；

3)采用封装材料对所述半导体芯片进行封装；以及

4)基于所述分离层分离所述封装材料与所述支撑衬底，使得所述半导体芯片具有电引出结构的一面与所述封装材料的下表面处于同一平面；

其中，所述支撑基底的第一面呈弧面弯曲，以减小由所述支撑基底与所述封装材料的热膨胀系数的不匹配而引起的所述封装材料的翘曲。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片的封装方法，其特征在于：所述支撑基底的热膨胀系数大于所述封装材料的热膨胀系数，所述支撑基底的第一面呈相对水平面凹陷弯曲的弧面。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片的封装方法，其特征在于：所述支撑基底的热膨胀系数小于所述封装材料的热膨胀系数，所述支撑基底的第一面呈相对水平面凸起弯曲的弧面。

4.根据权利要求1所述的半导体芯片的封装方法，其特征在于：所述支撑衬底包括玻璃衬底、金属衬底、半导体衬底、聚合物衬底及陶瓷衬底中的一种。

5.根据权利要求1所述的半导体芯片的封装方法，其特征在于：所述分离层包括胶带及聚合物层中的一种，所述聚合物层首先采用旋涂工艺涂覆于所述支撑衬底表面，然后采用紫外固化或热固化工艺使其固化成型。

6.根据权利要求1所述的半导体芯片的封装方法，其特征在于：采用封装材料封装所述半导体芯片的方法包括压缩成型、传递模塑成型、液封成型、真空层压及旋涂中的一种。

7.根据权利要求1所述的半导体芯片的封装方法，其特征在于：所述封装材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。

8.一种半导体芯片的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括半导体芯片以及包覆于所述半导体芯片的封装材料层，所述封装材料层具有相对的第一平面与第二平面，所述半导体芯片的电引出结构显露于所述封装材料层的所述第一平面。

9.根据权利要求8所述的半导体芯片的封装结构，其特征在于：所述封装材料层的所述第一平面与所述第二平面概呈平行。

10.根据权利要求8所述的半导体芯片的封装结构，其特征在于：所述封装材料层包括聚酰亚胺层、硅胶层以及环氧树脂层中的一种。