[发明专利]提高衍射效率的复合全息存储薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201711473585.9 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN108182952B | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 付申成;亢丽红;张昕彤;刘益春 | 申请(专利权)人: | 东北师范大学 |
主分类号: | G11B7/251 | 分类号: | G11B7/251;G11B7/26 |
代理公司: | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人: | 王丹阳 |
地址: | 130000 吉林*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 提高衍射效率的复合全息存储薄膜及其制备方法涉及光学信息存储材料制备领域,解决了制备方法繁琐,所得薄膜均一性差、体积皱缩问题和衍射效率偏低的问题。制备方法包括:步骤一、采用浸渍提拉法制备TiO2纳米多孔薄膜;步骤二、避光条件下,将偶氮光致聚合物溶解在四氢呋喃中得到偶氮光致聚合物溶液;步骤三、取偶氮光致聚合物溶液滴涂在TiO2纳米多孔薄膜上,得到沉积偶氮光致聚合物的TiO2纳米多孔薄膜,即为复合全息存储薄膜。本发明通过在TiO2纳米多孔薄膜上沉积偶氮光致聚合物的方法制得复合全息存储薄膜,该方法的制备过程简单,且成本低廉。同时所得薄膜的多孔分布均匀,全息存储的衍射效率高,体积皱缩问题弱化。 | ||
搜索关键词: | 光致聚合物 偶氮 纳米多孔薄膜 存储薄膜 复合全息 衍射效率 制备 皱缩 沉积 材料制备领域 光学信息存储 薄膜均一性 避光条件 多孔分布 浸渍提拉 全息存储 四氢呋喃 制备过程 溶液滴 薄膜 溶解 弱化 | ||
【主权项】:
1.提高衍射效率的复合全息存储薄膜制备方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:步骤一、采用浸渍提拉法制备TiO2纳米多孔薄膜;步骤二、避光条件下,将偶氮光致聚合物溶解在四氢呋喃中得到偶氮光致聚合物溶液;步骤三、取偶氮光致聚合物溶液滴涂在TiO2纳米多孔薄膜上,得到沉积偶氮光致聚合物的TiO2纳米多孔薄膜,即为复合全息存储薄膜。
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