[发明专利]提高衍射效率的复合全息存储薄膜及其制备方法

权利要求书

1.提高衍射效率的复合全息存储薄膜制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

步骤一、采用浸渍提拉法制备TiO₂纳米多孔薄膜；

步骤二、避光条件下，将偶氮光致聚合物溶解在四氢呋喃中得到偶氮光致聚合物溶液；

步骤三、取偶氮光致聚合物溶液滴涂在TiO₂纳米多孔薄膜上，得到沉积偶氮光致聚合物的TiO₂纳米多孔薄膜，即为复合全息存储薄膜。

2.如权利要求1所述的提高衍射效率的复合全息存储薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤一的具体过程为TiO₂溶胶原液溶于纯净水得到TiO₂溶液；制备造孔剂溶液；TiO₂溶液和造孔剂溶液混合均匀得到混合溶液，向混合溶液中加入乙醇，混合均匀后采用浸渍提拉法在玻璃衬底上提膜，薄膜提出后用红外灯照射，再放入烘箱烘烤至TiO₂薄膜固化；对TiO₂薄膜进行高温退火处理使造孔剂分解和/或挥发，得到TiO₂纳米多孔薄膜。

3.如权利要求2所述的提高衍射效率的复合全息存储薄膜制备方法，其特征在于，混合溶液与乙醇的体积之比为3:2，提膜的速度为2～5cm/s，提膜的停留时间为5～10s，红外灯照射2～3分钟，高温退火温度为450～500℃。

4.如权利要求3所述的提高衍射效率的复合全息存储薄膜制备方法，其特征在于，所述造孔剂溶液为P123溶液，高温退火温度为500℃。

5.如权利要求4所述的提高衍射效率的复合全息存储薄膜制备方法，其特征在于，所述提膜的速度为2cm/s，提膜的停留时间为8s，烘箱烘烤温度为120℃，烘箱烘烤时间为5分钟。

6.如权利要求1所述的提高衍射效率的复合全息存储薄膜制备方法，其特征在于，所述偶氮光致聚合物为分散红19光致聚合物，通过分散红19光致聚合物制备的复合全息存储薄膜能够实现蓝光全息存储。

7.采用权利要求1～6中任意一项所述的提高衍射效率的复合全息存储薄膜制备方法所制备的复合全息存储薄膜。

8.如权利要求1～6中任意一项所述的提高衍射效率的复合全息存储薄膜制备方法在改善复合全息存储薄膜中的应用，其特征在于，所述改善表现为如下1)和/或2)：

1)抑制复合全息存储薄膜的体积皱缩性能；

2)提高衍射效率以及图像存储能力。