[发明专利]降低半导体器件反向漏电流的方法

摘要

本发明属于半导体器件领域，涉及一种降低半导体器件反向漏电流的方法，具体包括以下步骤：原片清洗‑扩散‑吹砂‑一次清洗‑光刻‑台面腐蚀‑二次清洗‑钝化‑金属化‑电性测试‑划片。本发明提供的方法，整体简单、合理，并且环保，能使器件表面漏电流降低30％以上。

主权项

1.一种降低半导体器件反向漏电流的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：1)原片清洗，用酸洗或碱洗方式将硅片表面清洗干净；2)扩散，在硅片上掺杂P型和N型杂质以形成PN结；3)吹砂，将扩散后硅片表面的氧化层和杂质用金刚砂去除；4)一次清洗，用酸洗或碱洗方式将硅片表面的金刚砂和杂质清洗干净；5)光刻，在硅片表面涂布一层光刻胶，依次通过曝光、显影、定影和坚膜，将掩膜版上的设计图形转移至硅片表面；6)台面腐蚀，使用混合酸将未被光刻胶覆盖部分腐蚀出沟槽，充分暴露PN结；7)二次清洗，使用酸洗和碱洗相结合，将硅片表面清洗干净；8)钝化，使用绝缘层将暴露的PN结钝化保护；9)金属化，用化学镀镍方式先在硅片表面镀上一层镍，再在500‑700℃的高温下进行镍烧结，在镍烧结时通入氢气和氮气，烧结完成后在70℃以上的硝酸中浸泡1‑10分钟，再在表面镀上一层镍和金层；10)电性测试，按照电性设计要求将电性失效的芯片做上标记；11)划片：将制作在硅片上的芯片按设计尺寸划开，分离成单个的半导体器件。