[发明专利]降低半导体器件反向漏电流的方法

权利要求书

1.一种降低半导体器件反向漏电流的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

1)原片清洗，用酸洗或碱洗方式将硅片表面清洗干净；

2)扩散，在硅片上掺杂P型和N型杂质以形成PN结；

3)吹砂，将扩散后硅片表面的氧化层和杂质用金刚砂去除；

4)一次清洗，用酸洗或碱洗方式将硅片表面的金刚砂和杂质清洗干净；

5)光刻，在硅片表面涂布一层光刻胶，依次通过曝光、显影、定影和坚膜，将掩膜版上的设计图形转移至硅片表面；

6)台面腐蚀，使用混合酸将未被光刻胶覆盖部分腐蚀出沟槽，充分暴露PN结；

7)二次清洗，使用酸洗和碱洗相结合，将硅片表面清洗干净；

8)钝化，使用绝缘层将暴露的PN结钝化保护；

9)金属化，用化学镀镍方式先在硅片表面镀上一层镍，再在500-700℃的高温下进行镍烧结，在镍烧结时通入氢气和氮气，烧结完成后在70℃以上的硝酸中浸泡1-10分钟，再在表面镀上一层镍和金层；

10)电性测试，按照电性设计要求将电性失效的芯片做上标记；

11)划片：将制作在硅片上的芯片按设计尺寸划开，分离成单个的半导体器件。

2.根据权利要求1所述的一种降低半导体器件反向漏电流的方法，其特征在于，所述步骤4)中的杂质为为金属离子、颗粒或油垢。

3.根据权利要求2所述的一种降低半导体器件反向漏电流的方法，其特征在于，所述步骤8)中的绝缘层的材料为玻璃。