[发明专利]一种GaN基垂直结构LED器件在审
| 申请号： | 201711472122.0 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108110102A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 孙永健;王光普;郭坚;张戊有;胡勇 | 申请（专利权）人： | 保定金阳光能源装备科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/48 |
| 代理公司： | 保定市燕赵恒通知识产权代理事务所 13121 | 代理人： | 王葶葶 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基垂直结构LED器件，从上到下依次包括N电极、N型GaN层、GaN多量子阱有源层、P型GaN层、P电极和金属衬底；所述的金属衬底是从P电极到外依次由张应力金属层和压应力金属层交替电镀固定的多层结构。本发明多种金属合金更有助于调节垂直结构LED器件与衬底支撑度；还改善了电镀金属与GaN薄膜连接强度，改善了垂直结构LED器件的老化特性。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直结构LED 金属衬 多量子阱有源层 压应力金属 张应力金属 衬底支撑 从上到下 电镀金属 多层结构 金属合金 老化特性 固定的 电镀 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基垂直结构LED器件，其特征在于，从上到下依次包括N电极、N型GaN层、GaN多量子阱有源层、P型GaN层、P 电极和金属衬底；所述的金属衬底是从P 电极到外依次由张应力金属层和压应力金属层交替电镀固定的多层结构。
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