[发明专利]一种GaN基垂直结构LED器件在审
| 申请号： | 201711472122.0 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108110102A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 孙永健;王光普;郭坚;张戊有;胡勇 | 申请（专利权）人： | 保定金阳光能源装备科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/48 |
| 代理公司： | 保定市燕赵恒通知识产权代理事务所 13121 | 代理人： | 王葶葶 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直结构LED 金属衬 多量子阱有源层 压应力金属 张应力金属 衬底支撑 从上到下 电镀金属 多层结构 金属合金 老化特性 固定的 电镀 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaN基垂直结构LED器件，其特征在于，从上到下依次包括N电极、N型GaN层、GaN多量子阱有源层、P型GaN层、P 电极和金属衬底；所述的金属衬底是从P 电极到外依次由张应力金属层和压应力金属层交替电镀固定的多层结构。
2.根据权利要求1所述的GaN基垂直结构LED器件，其特征在于，所述的张应力金属层为铜层、钴层、钯层、金层或银层；压应力金属层为镍层或钨层。
3.根据权利要求1或2所述的GaN基垂直结构LED器件，其特征在于，所述的金属衬底为6层结构，所述的第一层铜层、钴层、钯层、金层或银层，厚度为15～25微米，第二层镍层或钨层，厚度为15～25微米，第三层铜层、钴层、钯层、金层或银层，厚度为25～40微米，第四层镍层或钨层，厚度为30～40微米，第五层铜层、钴层、钯层、金层或银层，厚度为25～40微米，第六层镍层或钨层，厚度为30～40微米。
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