[发明专利]一种高频快恢复二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201711465726.2 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108183135B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 王兴龙;王利军;邓令;刘章利 | 申请（专利权）人： | 重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211 | 代理人： | 顾晓玲 |
| 地址： | 405200 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高频快恢复二极管，该二极管在衬底层上设置有与衬底层导电类型相同的外延层，在外延层上设置有M个扩散环，扩散环的导电类型与外延层的导电类型相反，在同一BSIT结构扩散环的相邻环之间的外延层上设置有与外延层导电类型相同的掺杂层，掺杂层横向延伸入相应扩散环内部一定距离，在掺杂层之上设置有第一金属层形成肖特基势垒；在形成的器件表面垫积绝缘保护层，绝缘保护层上设置有贯通至第一金属层和扩散环的金属接触孔，在绝缘保护层上设置有正面金属层；在衬底层之下设置有背面金属层。本发明能够降低正向电压导通时的损耗，大幅度降低反向漏电，以及大幅度提高反向耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高频 恢复 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高频快恢复二极管，其特征在于，包括衬底层，在衬底层上设置有与衬底层导电类型相同的外延层，在外延层上设置有M个扩散环，所述扩散环的导电类型与外延层的导电类型相反，所述M为不小于3的正整数，当M＝3时，所述扩散环包括BSIT结构扩散环，当M≠3时，包括BSIT结构扩散环，或包括BSIT结构扩散环和增压环；在同一BSIT结构扩散环的相邻环之间的外延层上设置有与外延层导电类型相同的掺杂层，所述掺杂层横向延伸入相应扩散环内部一定距离，在所述掺杂层之上设置有第一金属层形成肖特基势垒；在形成的器件表面垫积绝缘保护层，所述绝缘保护层上设置有贯通至第一金属层和扩散环的金属接触孔，在所述绝缘保护层上设置有正面金属层；在所述衬底层之下设置有背面金属层。
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