[发明专利]一种高频快恢复二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201711465726.2 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108183135B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 王兴龙;王利军;邓令;刘章利 | 申请（专利权）人： | 重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211 | 代理人： | 顾晓玲 |
| 地址： | 405200 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高频 恢复 二极管 及其 制造 方法 | ||
1.一种高频快恢复二极管，其特征在于，包括衬底层，在衬底层上设置有与衬底层导电类型相同的外延层，在外延层上设置有M个扩散环，所述扩散环的导电类型与外延层的导电类型相反，所述M为不小于3的正整数，
当M＝3时，所述扩散环包括BSIT结构扩散环，
当M≠3时，包括BSIT结构扩散环，或包括BSIT结构扩散环和增压环，且BSIT结构扩散环和增压环之间有各种组合方式；
在同一BSIT结构扩散环的相邻环之间的外延层上设置有与外延层导电类型相同的掺杂层，所述掺杂层横向延伸入相应扩散环内部一定距离，在所述掺杂层之上设置有第一金属层形成肖特基势垒；
在形成的器件表面垫积绝缘保护层，所述绝缘保护层上设置有贯通至第一金属层和扩散环的金属接触孔，在所述绝缘保护层上设置有正面金属层；
在所述衬底层之下设置有背面金属层。
2.根据权利要求1所述的高频快恢复二极管，其特征在于，所述M＝7。
3.根据权利要求1所述的高频快恢复二极管，其特征在于，扩散环的参数：长度为10um、深度为20～22um、浓度为5～7×1016cm-3。
4.根据权利要求1所述的高频快恢复二极管 ，其特征在于，掺杂层的参数：深度为1～2um，宽度为4～5um，浓度为5～7×1016cm-3。
5.根据权利要求1所述的高频快恢复二极管，其特征在于，增压环之间或增压环与BSIT结构扩散环之间距离为11um。
6.根据权利要求1所述的高频快恢复二极管，其特征在于，同一BSIT结构扩散环的相邻环之间距离为3～4um。
7.根据权利要求1所述的高频快恢复二极管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，在衬底层上制备与衬底层导电类型相同的外延层；
S2，在外延层通过扩散形成M个与外延层导电类型相反的扩散环，所述M为不小于3的正整数，
当M＝3时，所述扩散环包括BSIT结构扩散环，
当M≠3时，包括BSIT结构扩散环，或包括BSIT结构扩散环和增压环，且BSIT结构扩散环和增压环之间有各种组合方式；
S3，在同一BSIT结构扩散环的相邻环之间的外延层上设置有与外延层导电类型相同的掺杂层，所述掺杂层横向延伸入相应扩散环内部一定距离；
S4，在所述掺杂层之上设置第一金属层形成肖特基势垒，在形成的器件表面垫积绝缘保护层，所述绝缘保护层上设置有贯通至第一金属层和扩散环的金属接触孔，在所述绝缘保护层上设置有正面金属层；
S5，根据封装形式的要求进行相应的背面减薄；
S6，对衬底下表面金属化。
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