[发明专利]一种小型化宽带晶体滤波器的加工方法在审
| 申请号： | 201711461997.0 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108063602A | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 彭胜春;阳皓;唐先莉;米伟;陈仲涛;许卫群;陈冬梅;李菲;李琼;陈映梅;唐平;杨莉 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 |
| 主分类号： | H03H1/00 | 分类号： | H03H1/00;H03H9/54;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人： | 黄河 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种小型化宽带晶体滤波器的加工方法，包括制造一个掩膜版，掩膜版的形状为晶片上两电极区域的形状，先将晶片的两面分别进行镀膜，形成沉积金属，作为全电极，然后再将掩膜版分别覆盖在晶片的两面，在晶片的两面分别进行离子刻蚀，刻蚀掉晶片两面掩膜版遮住的电极区域以外的金属部分，最终形成电极。本发明通过先整体镀电极，再采用离子刻蚀的方法分割电极的方法，能制作出高精度的微细电极形状及电极间距，从而实现较宽的带宽的晶体滤波器，且本方法工艺简单、成本低、效率高、可实现批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 小型化 宽带 晶体滤波器 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种小型化宽带晶体滤波器的加工方法，包括，将晶体进行划片得到晶片后将晶片调频，其特征在于，还包括：制造一个掩膜版，所述掩膜版的形状为晶片上两电极区域的形状；先将晶片的两面分别进行镀膜，形成沉积金属，作为全电极；然后再将所述掩膜版分别覆盖在晶片的两面，在晶片的两面分别进行离子刻蚀，刻蚀掉晶片两面掩膜版遮住的电极区域以外的金属部分，最终形成电极。
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