[发明专利]一种小型化宽带晶体滤波器的加工方法

权利要求书

1.一种小型化宽带晶体滤波器的加工方法，包括，将晶体进行划片得到晶片后将晶片调频，其特征在于，还包括：

制造一个掩膜版，所述掩膜版的形状为晶片上两电极区域的形状；

先将晶片的两面分别进行镀膜，形成沉积金属，作为全电极；

然后再将所述掩膜版分别覆盖在晶片的两面，在晶片的两面分别进行离子刻蚀，刻蚀掉晶片两面掩膜版遮住的电极区域以外的金属部分，最终形成电极。

2.如权利要求1所述的小型化宽带晶体滤波器的加工方法，其特征在于，所述晶片的厚度的取值范围为10μm到500μm。

3.如权利要求1或2所述的小型化宽带晶体滤波器的加工方法，其特征在于，所述电极的厚度的取值范围为50nm到200nm。

4.如权利要求1-3任一项所述的小型化宽带晶体滤波器的加工方法，其特征在于，进行离子刻蚀时，离子的能量为300-400ev，离子束的强度为20-30mA，刻蚀时间为4-6分钟。