[发明专利]一种聚合物包覆硅/偏硅酸锂负极材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201711461755.1 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108321368B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 郭桂略;王辉;齐美洲 | 申请（专利权）人： | 合肥国轩高科动力能源有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36 |
| 代理公司： | 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 | 代理人： | 段晓微;叶美琴 |
| 地址： | 230000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种聚合物包覆硅/偏硅酸锂负极材料，其由硅/偏硅酸锂复合材料和包覆在硅/偏硅酸锂复合材料外的聚合物包覆层组成；所述聚合物包覆层为聚吡咯、聚苯胺、聚多巴胺或者聚丙烯腈中的一种形成的包覆层。本发明还提出的一种所述聚合物包覆硅/偏硅酸锂负极材料的制备方法，包括：制备硅/偏硅酸锂复合材料和制备聚合物包覆层。本发明过程工艺简单易行，便于规模化生产，实用化程度高，其中所得到的材料可逆容量高，循环性能优良，在锂离子电池负极方面具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 聚合物 包覆硅 硅酸 负极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种聚合物包覆硅/偏硅酸锂负极材料，其特征在于，其由硅/偏硅酸锂复合材料和包覆在硅/偏硅酸锂复合材料外的聚合物包覆层组成；其中，所述聚合物包覆层为聚吡咯、聚苯胺、聚多巴胺或者聚丙烯腈中的一种形成的包覆层。
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