[发明专利]一种聚合物包覆硅/偏硅酸锂负极材料及其制备方法

权利要求书

1.一种聚合物包覆硅/偏硅酸锂负极材料，其特征在于，其由硅/偏硅酸锂复合材料和包覆在硅/偏硅酸锂复合材料外的聚合物包覆层组成；

其中，所述聚合物包覆层为聚吡咯、聚苯胺、聚多巴胺或者聚丙烯腈中的一种形成的包覆层；

其中，上述聚合物包覆硅/偏硅酸锂负极材料的制备方法，包括以下步骤：

S1、制备硅/偏硅酸锂复合材料：取氧化亚硅和金属锂粉，在氩气气氛下进行球磨，得到硅/偏硅酸锂复合材料；

S2、制备聚合物包覆层：将S1中的硅/偏硅酸锂复合材料、导电材料和聚合物单体均匀分散于溶剂中，加入氧化剂溶液进行聚合反应得到所述聚合物包覆硅/偏硅酸锂负极材料；

其中，在S1中，所述氧化亚硅、金属锂粉的摩尔比为8：1-4：2；

其中，在S1中，球磨时间为1-2h，所述球磨为机械球磨。

2.根据权利要求1所述聚合物包覆硅/偏硅酸锂负极材料，其特征在于，所述硅/偏硅酸锂复合材料在负极材料中的重量含量为95％-98％，聚合物包覆层在负极材料中的重量含量为2％-5％。

3.根据权利要求1或2所述聚合物包覆硅/偏硅酸锂负极材料，其特征在于，其粒子尺寸D50为5-10μm。

4.根据权利要求1所述聚合物包覆硅/偏硅酸锂负极材料，其特征在于，在S1中，所述氧化亚硅的粒径为3-10μm；所述金属锂粉的粒径为2-5μm；所述氩气的纯度为99.99％；所述氧化亚硅中Si、O原子比为n，1≤n2。

5.根据权利要求1或4所述聚合物包覆硅/偏硅酸锂负极材料，其特征在于，在S2中，所述导电材料为导电炭黑、乙炔黑、碳纳米管、石墨烯、碳纤维中的一种或者多种的混合物；所述聚合物单体为吡咯、苯胺、多巴胺或丙烯腈中的一种；所述溶剂为乙醇、水中的一种或者两种的混合物。

6.根据权利要求1或4所述聚合物包覆硅/偏硅酸锂负极材料，其特征在于，在S2中，所述氧化剂溶液为氯化铁溶液、双氧水溶液、过硫酸铵溶液中的一种或者多种的混合物。

7.根据权利要求6所述聚合物包覆硅/偏硅酸锂负极材料，其特征在于，所述氯化铁溶液的浓度为0.1-1.0mol/L，所述双氧水溶液中过氧化氢的质量分数为3％-10％；所述过硫酸铵溶液的浓度为0.1-0.5mol/L。