[发明专利]图像传感器及其形成方法在审

专利信息
申请号: 201711461265.1 申请日: 2017-12-28
公开(公告)号: CN108183115A 公开(公告)日: 2018-06-19
发明(设计)人: 穆钰平;柯天琪;黄晓橹 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 徐文欣;吴敏
地址: 223302 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种图像传感器及其形成方法,图像传感器包括:二极管区包括二极管体区和第一电荷存储区,第一电荷存储区位于二极管区中由第一侧边缘和第三侧边缘相交而成的拐角处;电容区包括与二极管体区邻接的电容体区和与第一电荷存储区邻接的第二电荷存储区,且第二电荷存储区和电容体区邻接;位于二极管体区中的光电二极管;位于电容体区中的电容介质层和电容栅极,且电容介质层位于电容栅极和光电二极管之间;位于第一电荷存储区和第二电荷存储区中的电荷存储层,电荷存储层与电容栅极连接。所述图像传感器的性能提高。
搜索关键词: 电荷存储区 图像传感器 二极管 电容 邻接 电容体 体区 电荷存储层 电容介质层 光电二极管 二极管区 一侧边缘 栅极连接 侧边缘 电容区 拐角处 相交
【主权项】:
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:基底,所述基底包括二极管区和与二极管区邻接的电容区,所述二极管区具有相对的第一侧边缘和第二侧边缘、以及相对的第三侧边缘和第四侧边缘,所述电容区与二极管区的仅第一侧边缘和第三侧边缘邻接;所述二极管区包括二极管体区和第一电荷存储区,第一电荷存储区位于二极管区中由第一侧边缘和第三侧边缘相交而成的拐角处,部分第一侧边缘为二极管体区的边缘,部分第三侧边缘为二极管体区的边缘;所述电容区包括与二极管体区邻接的电容体区和与第一电荷存储区邻接的第二电荷存储区,且第二电荷存储区和电容体区邻接;位于二极管体区中的光电二极管;位于电容体区中的电容介质层和电容栅极,且所述电容介质层位于电容栅极和光电二极管之间;位于第一电荷存储区和第二电荷存储区中的电荷存储层,所述电荷存储层与电容栅极连接。
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