[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
申请号: | 201711461265.1 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN108183115A | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 穆钰平;柯天琪;黄晓橹 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣;吴敏 |
地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种图像传感器及其形成方法,图像传感器包括:二极管区包括二极管体区和第一电荷存储区,第一电荷存储区位于二极管区中由第一侧边缘和第三侧边缘相交而成的拐角处;电容区包括与二极管体区邻接的电容体区和与第一电荷存储区邻接的第二电荷存储区,且第二电荷存储区和电容体区邻接;位于二极管体区中的光电二极管;位于电容体区中的电容介质层和电容栅极,且电容介质层位于电容栅极和光电二极管之间;位于第一电荷存储区和第二电荷存储区中的电荷存储层,电荷存储层与电容栅极连接。所述图像传感器的性能提高。 | ||
搜索关键词: | 电荷存储区 图像传感器 二极管 电容 邻接 电容体 体区 电荷存储层 电容介质层 光电二极管 二极管区 一侧边缘 栅极连接 侧边缘 电容区 拐角处 相交 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:基底,所述基底包括二极管区和与二极管区邻接的电容区,所述二极管区具有相对的第一侧边缘和第二侧边缘、以及相对的第三侧边缘和第四侧边缘,所述电容区与二极管区的仅第一侧边缘和第三侧边缘邻接;所述二极管区包括二极管体区和第一电荷存储区,第一电荷存储区位于二极管区中由第一侧边缘和第三侧边缘相交而成的拐角处,部分第一侧边缘为二极管体区的边缘,部分第三侧边缘为二极管体区的边缘;所述电容区包括与二极管体区邻接的电容体区和与第一电荷存储区邻接的第二电荷存储区,且第二电荷存储区和电容体区邻接;位于二极管体区中的光电二极管;位于电容体区中的电容介质层和电容栅极,且所述电容介质层位于电容栅极和光电二极管之间;位于第一电荷存储区和第二电荷存储区中的电荷存储层,所述电荷存储层与电容栅极连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司,未经德淮半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711461265.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:背照式图像传感器及其形成方法
- 下一篇:图像传感器及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的