[发明专利]一种半导体器件的制造方法和半导体器件

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件，根据本发明的半导体器件的制造方法和半导体器件，在耗尽型器件的形成过程中，通过形成介质岛作为掩膜进行自对准离子注入来形成沟道，通过控制注入能量和剂量，可以精确控制沟道区的深度以及掺杂浓度，实现高稳定性的夹断电压，这样可以节省进行阈值电压调整离子注入中需要使用的光刻版和进行光刻工艺提供离子注入掩膜的步骤，减少了工艺流程，降低了工艺成本；在耗尽型器件形成沟道的过程中，由于介质岛的存在阻挡了沟道离子的注入，介质岛下方的离子浓度低，使得半导体器件在开态下的击穿可靠性大大提高。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，至少包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的正面形成第一掺杂类型外延层；在所述第一掺杂类型外延层上形成多个介质岛，所述介质岛包括第一介质岛和位于所述第一介质岛两侧的第二介质岛；在所述第一掺杂类型外延层上形成栅极结构，所述栅极结构覆盖所述第一介质岛并露出所述第一掺杂类型外延层中拟形成第一掺杂类型源区的区域；以所述栅极结构和所述第二介质岛为掩膜，执行第二掺杂类型深阱离子注入，在所述第一掺杂类型外延层中形成至少两个第二掺杂类型深阱区，执行深阱退火工艺，以使所述第二掺杂类型深阱区横向扩散，形成位于所述第二介质岛下方并被所述栅极结构部分覆盖的第二掺杂类型深阱，其中所述第一介质岛与所述第二掺杂类型深阱不接触；以所述第二介质岛为掩膜，执行第一掺杂类型沟道离子注入，在所述第一掺杂类型外延层中形成位于所述第二介质岛的两侧下方的第一掺杂类型沟道，所述第一掺杂类型沟道在所述第一掺杂类型外延层中的纵向深度小于所述第二掺杂类型深阱的深度，所述第一掺杂类型沟道在横向上至少延伸至所述第二掺杂类型深阱的边界；以所述第二介质岛和所述栅极结构为掩膜，执行第一掺杂类型源区离子注入，以在所述第二掺杂类型深阱中形成所述第一掺杂类型源区；其中，所述第一掺杂类型和所述第二掺杂类型相反。