[发明专利]一种鉴定工业化体块SiC单晶晶型的方法有效
| 申请号： | 201711459794.8 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN107976410B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 杨昆;杨继胜;牛晓龙;刘新辉;路亚娟 | 申请（专利权）人： | 河北同光晶体有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/29 | 分类号： | G01N21/29;G01N21/65 |
| 代理公司： | 北京连城创新知识产权代理有限公司 11254 | 代理人： | 刘伍堂 |
| 地址： | 071051 河北省保定市北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种鉴定工业化体块SiC单晶晶型的方法，主要包括如下步骤：（1）将被测体块SiC样品置入加热炉，控制光照条件，在室温下观察所述SiC样品的颜色；（2）将所述SiC样品加热至200‑450℃；（3）控制与步骤（1）相同的所述光照条件，观察加热后的SiC样品的颜色，颜色发生显著加深的是6H‑SiC晶型，否则为4H‑SiC晶型。本发明利用4H‑SiC及6H‑SiC禁带宽度差及200‑450℃之间对可见光吸收的差异，通过颜色的变化实现晶型判断，本发明简单便捷，测试成本低且无需昂贵复杂的表征设备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 鉴定 工业化 sic 单晶晶型 方法 | ||
【主权项】：
一种鉴定工业化体块SiC单晶晶型的方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）将被测体块SiC样品置入加热炉，控制光照条件，在室温下观察所述SiC样品的颜色；（2）将所述SiC样品加热至200‑450℃；（3）控制与步骤（1）相同的所述光照条件，观察加热后的SiC样品的颜色，颜色发生显著加深的是6H‑SiC晶型，否则为4H‑SiC晶型。
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