[发明专利]一种鉴定工业化体块SiC单晶晶型的方法有效
| 申请号： | 201711459794.8 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN107976410B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 杨昆;杨继胜;牛晓龙;刘新辉;路亚娟 | 申请（专利权）人： | 河北同光晶体有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/29 | 分类号： | G01N21/29;G01N21/65 |
| 代理公司： | 北京连城创新知识产权代理有限公司 11254 | 代理人： | 刘伍堂 |
| 地址： | 071051 河北省保定市北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 鉴定 工业化 sic 单晶晶型 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种鉴定工业化体块SiC单晶晶型的方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）将被测体块SiC样品置入加热炉，所述SiC样品为无色SiC，所述无色SiC的总金属杂质含量低于1E17/cm3，B杂质含量低于1E17/cm3，N杂质含量低于1E17/cm3；控制光照条件为：自然光或色温为5500—7200K的白光环境，在室温下观察所述SiC样品的颜色；
（2）将所述SiC样品加热至200-450℃；
（3）控制与步骤（1）相同的所述光照条件，观察加热后的SiC样品的颜色，颜色发生显著加深的是6H-SiC晶型，否则为4H-SiC晶型。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤（2）中，所述SiC样品加热至300-400℃。
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