[发明专利]一种太阳能电池片的生产方法在审
申请号: | 201711448391.3 | 申请日: | 2017-12-27 |
公开(公告)号: | CN108183149A | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 赵勇;叶超;金德礼 | 申请(专利权)人: | 安徽银欣新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/203;H01L21/324;C30B33/10 |
代理公司: | 安徽知问律师事务所 34134 | 代理人: | 韦超峰;胡锋锋 |
地址: | 243000 安徽省马鞍山市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池片的生产方法,属于晶体硅太阳能电池技术领域。本发明的太阳能电池片镀膜工艺包括以下步骤:进舟、常压升温、一次抽真空、真空升温、一次调压、预沉积、一次等离子溅射沉积、二次抽真空、二次调压、二次等离子溅射沉积、清洗、三次抽真空、充氮和出舟。采用本发明的镀膜工艺能够有效避免EL舟框印缺陷的产生,并保证电池的光电转化效率。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池片 等离子溅射 镀膜工艺 沉积 晶体硅太阳能电池 光电转化效率 二次抽真空 一次抽真空 一次调压 抽真空 预沉积 常压 充氮 调压 框印 清洗 电池 生产 保证 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池片的生产方法,包括制绒工序、扩散工序、刻蚀工序、PECVD工序、丝网印刷工序和测试分选工艺,其特征在于,具体包括以下步骤:步骤一、制绒:将硅片先进行制绒,去除表面损伤层,然后进行去金属离子处理;步骤二、扩散:将制绒工序后的硅片移至石英舟槽内,再将石英舟槽移至碳化硅桨上进行扩散;步骤三、刻蚀:将扩散后的硅片移至刻蚀上料段,扩散面朝上进入刻蚀机台进行刻蚀;步骤四、PECVD工序:将刻蚀后的硅片放入石墨舟中,将石墨舟送入PECVD镀膜设备石英管加工腔中进行镀膜,其中石墨舟送入石英管加工腔后,先进行常压升温,然后再进行抽真空和真空升温,真空升温后即进行等离子溅射沉积处理;步骤五、丝网印刷:将PECVD工序后的硅片放入印刷机上进行丝网印刷,印刷后将硅片送入烧结炉中进行烧结;步骤六、测试分选:将烧结后的硅片进行性能测试,并对测试后的硅片分选成多个效率等级。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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