[发明专利]一种增加悬浮漏极电容的像素单元结构及制作方法

摘要

本发明公开了一种增加悬浮漏极电容的像素单元结构，包括设于衬底上的光电二极管、传输管和复位管，在传输管控制栅极以外的漏极上方和/或复位管控制栅极以外的漏极上方设有附加栅极，附加栅极的边界延伸至漏极以外的浅槽隔离上方，附加栅极通过薄栅氧层与漏极隔离，以形成附加栅极和有源区交叠电容，可在不增加悬浮漏极电容面积、即不减少光电二极管面积的情况下，增加悬浮漏极的电容。本发明还公开了一种增加悬浮漏极电容的像素单元结构的制作方法。

主权项

1.一种增加悬浮漏极电容的像素单元结构，其特征在于，所述像素单元至少包括设于衬底上的光电二极管、传输管和复位管，在所述传输管控制栅极以外的漏极上方和/或复位管控制栅极以外的漏极上方设有附加栅极，所述附加栅极的边界延伸至漏极以外的浅槽隔离上方，所述附加栅极通过第一栅氧层与漏极隔离，以形成附加栅极和有源区交叠电容。