[发明专利]一种增加悬浮漏极电容的像素单元结构及制作方法

权利要求书

1.一种增加悬浮漏极电容的像素单元结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S01：提供一硅衬底，在所述硅衬底上形成光电二极管、浅槽隔离和第二栅氧层；

步骤S02：通过光刻、湿法腐蚀工艺，去除靠近浅槽隔离的硅衬底表面区域的第二栅氧层；

步骤S03：通过薄栅氧氧化工艺，在去除第一栅氧层后的硅衬底表面区域形成第一栅氧层；

步骤S04：通过栅极材料淀积和刻蚀、边墙材料淀积和刻蚀以及漏极注入工艺，在第二栅氧层上形成像素单元的传输管控制栅极及其边墙、复位管控制栅极及其边墙，在第二栅氧层和第一栅氧层交界区域的硅衬底中形成传输管漏极、复位管漏极，以及在传输管控制栅极以外的漏极上方的第一栅氧层上和/或复位管控制栅极以外的漏极上方的第一栅氧层上形成附加栅极及其边墙，使所述附加栅极的边界延伸至漏极以外的浅槽隔离上方，以在附加栅极及其边墙、第一栅氧层和漏极之间形成附加栅极和有源区交叠电容。

2.根据权利要求1所述的增加悬浮漏极电容的像素单元结构的制作方法，其特征在于，还包括：

步骤S05：通过后道金属互连工艺，在漏极上方形成漏极电极及金属互连结构；其中，先在步骤S04中通过图形化形成n形的附加栅极，以在后续形成附加栅极对漏极电极的围绕设置。

3.根据权利要求1所述的增加悬浮漏极电容的像素单元结构的制作方法，其特征在于，所述第二栅氧层采用IO管厚栅氧工艺形成。

4.根据权利要求1所述的增加悬浮漏极电容的像素单元结构的制作方法，其特征在于，所述控制栅极、附加栅极材料为多晶硅。

5.根据权利要求4所述的增加悬浮漏极电容的像素单元结构的制作方法，其特征在于，所述硅衬底采用P型或N型，所述漏极采用N型注入，所述多晶硅采用N型掺杂。