[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有鳍部结构，鳍部结构包括若干层沿半导体衬底表面法线方向重叠的第一鳍部层、以及位于相邻两层第一鳍部层之间的第二鳍部层；形成伪栅极结构；在伪栅极结构两侧的鳍部结构内形成第一凹槽；去除第一凹槽侧壁的部分第二鳍部层以形成第二修正鳍部层，并且在相邻第一鳍部层之间形成鳍部凹槽；在鳍部凹槽内形成隔离层，隔离层内具有第一离子；进行退火处理，使隔离层中的第一离子扩散入第一鳍部层；在第一凹槽内形成源漏掺杂层，源漏掺杂层具有第二离子；形成介质层；去除伪栅极结构和第二修正鳍部层，形成栅开口；在栅开口内形成栅极结构。所述方法提高了半导体器件的性能。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有鳍部结构，鳍部结构包括若干层沿半导体衬底表面法线方向重叠的第一鳍部层、以及位于相邻两层第一鳍部层之间的第二鳍部层；形成横跨鳍部结构的伪栅极结构，伪栅极结构覆盖鳍部结构的部分顶部表面和部分侧壁表面；形成伪栅极结构之后，在伪栅极结构两侧的鳍部结构内形成第一凹槽；形成第一凹槽之后，去除第一凹槽侧壁的部分第二鳍部层以形成第二修正鳍部层，第二修正鳍部层侧壁相对于第一鳍部层侧壁凹陷，并且在相邻第一鳍部层之间形成鳍部凹槽；在鳍部凹槽内形成隔离层，所述隔离层内具有第一离子；进行退火处理，使所述隔离层中的第一离子扩散入第一鳍部层；退火处理后，在第一凹槽内形成源漏掺杂层，所述源漏掺杂层具有第二离子；形成源漏掺杂层之后，在半导体衬底和鳍部结构上形成介质层，介质层覆盖所述伪栅极结构侧壁；形成介质层后，去除伪栅极结构和伪栅极结构覆盖的第二修正鳍部层，在所述介质层内及相邻的第一鳍部层之间形成栅开口；在所述栅开口内形成栅极结构，所述栅极结构包围第一鳍部层。