[发明专利]半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，半导体衬底上具有鳍部结构，鳍部结构包括若干层沿半导体衬底表面法线方向重叠的第一鳍部层、以及位于相邻两层第一鳍部层之间的第二鳍部层；

形成横跨鳍部结构的伪栅极结构，伪栅极结构覆盖鳍部结构的部分顶部表面和部分侧壁表面；

形成伪栅极结构之后，在伪栅极结构两侧的鳍部结构内形成第一凹槽；

形成第一凹槽之后，去除第一凹槽侧壁的部分第二鳍部层以形成第二修正鳍部层，第二修正鳍部层侧壁相对于第一鳍部层侧壁凹陷，并且在相邻第一鳍部层之间形成鳍部凹槽；

在鳍部凹槽内形成隔离层，所述隔离层内具有第一离子；

进行退火处理，使所述隔离层中的第一离子扩散入第一鳍部层；

退火处理后，在第一凹槽内形成源漏掺杂层，所述源漏掺杂层具有第二离子；

形成源漏掺杂层之后，在半导体衬底和鳍部结构上形成介质层，介质层覆盖所述伪栅极结构侧壁；

形成介质层后，去除伪栅极结构和伪栅极结构覆盖的第二修正鳍部层，在所述介质层内及相邻的第一鳍部层之间形成栅开口；

在所述栅开口内形成栅极结构，所述栅极结构包围第一鳍部层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述隔离层的形成步骤包括：形成鳍部凹槽后，在所述鳍部凹槽和第一凹槽内形成初始隔离层，所述初始隔离层覆盖第一凹槽侧壁表面和第一凹槽底部表面；

去除部分所述初始隔离层，暴露出第一鳍部层侧壁，形成所述隔离层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述初始隔离层的材料包括硅或硅锗；所述第一离子包括碳离子。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述初始隔离层的形成工艺包括外延生长工艺；在初始隔离层内掺杂第一离子的工艺为原位掺杂工艺。

5.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除部分初始隔离层的工艺包括：各向同性的干法刻蚀工艺或各向同性的湿法刻蚀工艺。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述鳍部结构的方法包括：在所述半导体衬底上形成鳍部材料膜，鳍部材料膜若干层沿半导体衬底表面法线方向重叠的第一鳍部膜、以及位于相邻两层第一鳍部层中的第二鳍部膜；在所述鳍部材料膜上形成图形化层；以所述图形化层为掩膜，刻蚀所述鳍部材料膜以形成鳍部，且使第一鳍部膜形成第一鳍部层，使第二鳍部膜形成第二鳍部层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一鳍部层的材料和第二鳍部层的材料不同；所述第一鳍部层的材料为单晶硅或单晶锗硅；所述第二鳍部层的材料为单晶硅锗或单晶硅。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述伪栅极结构的步骤包括：在半导体衬底上形成覆盖鳍部的伪栅极结构膜；刻蚀所述伪栅极结构膜暴露出鳍部结构上的伪栅介质层，形成伪栅极结构。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述伪栅极结构还包括覆盖伪栅极结构侧壁表面的侧墙。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙包括第一侧墙和第二侧墙，第一侧墙位于伪栅极结构侧壁，第二侧墙位于第一侧墙侧壁。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除伪栅极结构和伪栅极结构覆盖的第二修正鳍部层的步骤包括：形成介质层后，去除伪栅极结构，在介质层中形成初始栅开口；去除初始栅开口暴露出的第二修正鳍部层，使初始栅开口形成所述栅开口。