[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底、以及分立设置于衬底上的多个栅极叠层结构，栅极叠层结构包括前驱控制栅层；在栅极叠层结构露出的衬底上形成介质层，介质层露出前驱控制栅层顶部；去除部分厚度的前驱控制栅层，在介质层内形成凹槽；通过沉积工艺在凹槽内形成导电层，导电层与剩余前驱控制栅层构成控制栅层。本发明采用导电层代替金属硅化物层，导电层通过沉积工艺形成，从而能够减小栅极叠层结构的厚度，相应改善栅极叠层结构的倾斜问题、提高导电层的边界可控性和形貌质量，且防止导电层的材料扩散至NAND闪存器件中的浮置栅层中；综上，通过沉积工艺以形成导电层，使NAND闪存器件的性能得以提高。