[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底、以及位于所述衬底上的多个栅极叠层结构，所述多个栅极叠层结构在所述衬底上分立设置，所述栅极叠层结构包括前驱控制栅层，所述前驱控制栅层包括：第一多晶硅层；刻蚀停止层，位于所述第一多晶硅层上；第二多晶硅层，位于所述刻蚀停止层上；

在所述栅极叠层结构露出的衬底上形成介质层，所述介质层露出所述前驱控制栅层的顶部；

去除部分厚度的所述前驱控制栅层，在所述介质层内形成凹槽；

通过沉积工艺，在所述凹槽内形成导电层，所述导电层与剩余前驱控制栅层构成控制栅层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述导电层的材料为钨或铜。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述沉积工艺为化学气相沉积工艺或电镀工艺。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述凹槽内形成导电层的步骤包括：

向所述凹槽内填充导电材料，所述导电材料还覆盖所述介质层顶部；

对所述导电材料进行平坦化处理，去除高于所述介质层顶部的导电材料，保留所述凹槽内的导电材料作为所述导电层。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述介质层内形成凹槽后，向所述凹槽内填充导电材料之前，所述形成方法还包括：

在所述凹槽的底部和侧壁形成阻挡层，所述阻挡层还覆盖所述介质层顶部；

对所述导电材料进行平坦化处理的步骤中，还去除位于所述介质层顶部的所述阻挡层。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层包括钛层以及位于所述钛层上的氮化钛层；

或者，所述阻挡层包括钽层以及与所述钽层上的氮化钽层。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，提供基底的步骤中，所述栅极叠层结构的厚度为至

8.如权利要求1或7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，提供基底的步骤中，所述前驱控制栅层的厚度为至

去除部分厚度的所述前驱控制栅层的步骤中，去除所述前驱控制栅层的厚度值为至

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和非晶碳中的一种或多种。

10.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除部分厚度的所述前驱控制栅层的步骤包括：以所述刻蚀停止层表面为停止位置，去除所述第二多晶硅层；

去除所述第二多晶硅层后，去除所述刻蚀停止层，在所述介质层内形成露出所述第一多晶硅层的凹槽。

11.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一多晶硅层的厚度为至所述刻蚀停止层的厚度为至所述第二多晶硅层的厚度为270至

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，提供基底的步骤中，所述栅极叠层结构还包括：

栅绝缘层，位于所述衬底和所述前驱控制栅层之间；

浮置栅层，位于所述栅绝缘层和所述前驱控制栅层之间；

栅介质层，位于所述浮置栅层和所述前驱控制栅层之间。