[发明专利]一种优化晶圆表面形貌的化学机械平坦化方法有效
| 申请号： | 201711417075.X | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN108059921B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 岳爽;张康;尹影;李婷;杨师 | 申请（专利权）人： | 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;C09G1/02;B24B1/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 曾章沐 |
| 地址： | 100000 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种优化晶圆表面形貌的化学机械平坦方法，包括如下步骤：(A)将SiO2磨料、多羟多胺FA/O螯合剂、FA/O非离子表面活性剂、二氧化锡、有机酸、氟化物、氨水混合配成抛光液；(B)在化学机械平坦化过程中，将上述抛光液采用输液管输送到抛光垫表面，输液管沿径向指向所述抛光垫的圆心设置，抛光即可。本发明实施例的方法通过选择特定配制的抛光液以及特定结构的输液管来优化整个操作过程，使得采用本发明的方法处理后的晶圆表面形貌更加平整，整个操作步骤可操作性更强，晶圆本身的机械抛光效果更加优异，可达到控制合理的表面去除率，晶圆表面粗糙度明显下降，以及提高抛光效率的效果，值得广泛推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 表面 形貌 化学 机械 平坦 方法 | ||
【主权项】：
1.一种优化晶圆表面形貌的化学机械平坦化方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)将SiO2磨料、多羟多胺FA/O螯合剂、FA/O非离子表面活性剂、二氧化锡、有机酸、氟化物、氨水混合配成抛光液；(B)在化学机械平坦化过程中，将上述抛光液采用输液管输送到抛光垫表面，输液管沿径向指向所述抛光垫的圆心设置，抛光即可。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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