[发明专利]一种优化晶圆表面形貌的化学机械平坦化方法有效
| 申请号: | 201711417075.X | 申请日: | 2017-12-25 |
| 公开(公告)号: | CN108059921B | 公开(公告)日: | 2019-09-03 |
| 发明(设计)人: | 岳爽;张康;尹影;李婷;杨师 | 申请(专利权)人: | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) |
| 主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302;C09G1/02;B24B1/00 |
| 代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 曾章沐 |
| 地址: | 100000 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 优化 表面 形貌 化学 机械 平坦 方法 | ||
1.一种优化晶圆表面形貌的化学机械平坦化方法,其特征在于,包括如下步骤:
(A)将SiO2磨料、多羟多胺FA/O螯合剂、FA/O非离子表面活性剂、二氧化锡、有机酸、氟化物、氨水混合配成抛光液;
(B)在化学机械平坦化过程中,将上述抛光液采用输液管输送到抛光垫表面,输液管沿径向指向所述抛光垫的圆心设置,抛光即可。
2.根据权利要求1所述的化学机械平坦化方法,其特征在于,所述步骤(A)中,以质量份数计,SiO2磨料5-10份、多羟多胺FA/O螯合剂3-4份、FA/O非离子表面活性剂2-3份、二氧化锡5-10份、有机酸15-20份、氟化物4-6份、氨水8-10份。
3.根据权利要求2所述的化学机械平坦化方法,其特征在于,所述步骤(A)中,以质量份数计,SiO2磨料7份、多羟多胺FA/O螯合剂3份、FA/O非离子表面活性剂3份、二氧化锡7份、有机酸16份、氟化物5份、氨水9份。
4.根据权利要求2所述的化学机械平坦化方法,其特征在于,所述步骤(A)中,在所述抛光液中添加为所述抛光液质量的0.15-0.3wt%的双氧水。
5.根据权利要求1-4任一项所述的化学机械平坦化方法,其特征在于,所述步骤(A)中,所述SiO2磨料的目粒度控制在400目以上。
6.根据权利要求5所述的化学机械平坦化方法,其特征在于,所述步骤(A)中,所述SiO2磨料的目粒度为600-800目。
7.根据权利要求1-4任一项所述的化学机械平坦化方法,其特征在于,所述步骤(A)中,所述二氧化锡的目粒度控制在300目以上。
8.根据权利要求7所述的化学机械平坦化方法,其特征在于,所述步骤(A)中,所述二氧化锡的目粒度为400-500目之间。
9.根据权利要求1-4任一项所述的化学机械平坦化方法,其特征在于,所述步骤(A)中,所述有机酸系选自草酸、2-膦酸丁烷-1,2,4-三羧酸、2-羟基膦酰基乙酸、氨基三亚甲基膦酸及酒石酸中的一种或多种。
10.根据权利要求1-4任一项所述的化学机械平坦化方法,其特征在于,所述氟化物选自氟化氢、氟化铵、氟硅 酸铵及氟硼酸铵中的一种或多种。
11.根据权利要求1-4任一项所述的化学机械平坦化方法,其特征在于,所述步骤(A)中,所述抛光液的pH控制在4-6之间。
12.根据权利要求1-4任一项所述的化学机械平坦化方法,其特征在于,所述步骤(B)中,所述输液管上沿径向设置有用于流所述抛光液的孔道。
13.根据权利要求12所述的化学机械平坦化方法,其特征在于,所述步骤(B)中,所述孔道沿径向均匀分布。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





