[发明专利]改进的电压比较器有效
申请号: | 201711415601.9 | 申请日: | 2017-12-25 |
公开(公告)号: | CN108233900B | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | 王钊 | 申请(专利权)人: | 无锡中感微电子股份有限公司 |
主分类号: | H03K5/24 | 分类号: | H03K5/24 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种电压比较器,其包括:电流镜电路、第三电阻、第四电阻、第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、第二电流源和第三MOS晶体管。所述电流镜电路具有很小的电流镜电流复制的失配,具有很高的电流复制精度,这样可以提高电压比较器的内参考电压阈值的精度。 | ||
搜索关键词: | 电压比较器 双极型晶体管 电流镜电路 电阻 电流镜电流 参考电压 电流复制 电流源 失配 复制 改进 | ||
【主权项】:
1.一种电压比较器,其特征在于,其包括:电流镜电路,其包括第一MOS晶体管、第二MOS晶体管、第一电阻、第二电阻、第一可调电阻、第二可调电阻、开关电路和校准电路,所述第一电阻的一端与电源端相连,其另一端与所述第一MOS晶体管的第一连接端相连,所述第一MOS晶体管的第二连接端与所述第一可调电阻的一端相连,所述第一可调电阻的另一端与所述第二可调电阻的一端相连,所述第二可调电阻的另一端作为所述电流镜电路的第一输出端;所述第一MOS晶体管的控制端与第一可调电阻和第二可调电阻之间的连接节点相连;所述第二电阻的一端与所述电源端相连,其另一端与所述第二MOS晶体管的第一连接端相连,所述第二MOS晶体管的第二连接端作为所述电流镜电路的第二输出端,所述开关电路包括第一开关、第二开关和第三开关,所述第一开关的一端与第二MOS晶体管的控制端相连,其另一端与第一可调电阻和第二可调电阻之间的连接节点相连;所述第二开关连接于第二MOS晶体管的控制端和所述第一可调电阻的一端之间,第三开关连接于第二MOS晶体管的控制端和第二可调电阻的另一端之间,所述校准电路包括第一输入端、第二输入端、第一输出端、第二输出端、第三输出端、第四输出端和第五输出端,其中,所述校准电路的第一输入端与所述第一电阻的另一端相连,其第二输入端与所述第二电阻的另一端相连,其第一输出端与第一开关的控制端相连,其第二输出端与第二开关的控制端相连,其第三输出端与第三开关的控制端相连,其第四输出端与第一可调电阻的调节端相连,其第五输出端与第二可调电阻的调节端相连;第三电阻;第四电阻;第一双极型晶体管,其集电极与电流镜电路的第一输出端相连,其发射极与第三电阻的一端相连;第二双极型晶体管,其基极与第一双极型晶体管的基极相连,其集电极与电流镜电路的第二输出端相连,其发射极与第三电阻的另一端和第四电阻的一端相连,第四电阻的另一端接地;第二电流源,其输入端作为电压比较器的输出端,其输出端接地;第三MOS晶体管,其第一连接端与电源端相连,其第二连接端与第二电流源的输入端相连,其栅极与第二双极型晶体管的集电极相连,所述第一MOS晶体管和第二MOS晶体管均为PMOS晶体管,第一MOS晶体管的第一连接端、第二连接端和控制端分别为PMOS晶体管的源极、漏极和栅极;第二MOS晶体管的第一连接端、第二连接端和控制端分别为PMOS晶体管的源极、漏极和栅极。
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