[发明专利]改进的电压比较器

说明书

本发明提供一种电压比较器，其包括：电流镜电路、第三电阻、第四电阻、第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、第二电流源和第三MOS晶体管。所述电流镜电路具有很小的电流镜电流复制的失配，具有很高的电流复制精度，这样可以提高电压比较器的内参考电压阈值的精度。

【技术领域】

本发明涉及电子电路技术领域，特别涉及一种改进的电压比较器。

【背景技术】

电流镜被广泛的应用于各种模拟电路中，例如，产生电流偏置或者作为运算放大器的负载。但是由于工艺偏差，会导致输出电流不等于输入电流，即表现为电流镜的失配。

请参考图1所示，其为现有技术中的一种电流镜的电路示意图，其包括PMOS(positive channel Metal Oxide Semiconductor)晶体管MP1和MP2，输入电流源I1经过电流镜可以产生输出电流Io。由于工艺偏差，导致在大批量生产时，PMOS晶体管MP1和MP2之间存在失配，使得有些芯片的输出电流Io的电流值大于输入电流源I1的电流值，而有些芯片的输出电流Io的电流值小于输入电流源I1的电流值。在一些应用中希望输出电流Io更加准确的复制输入电流源I1的电流值，例如，准确的复制可以提高输出电流的精度或者提高电压比较器的内参考电压阈值的精度。

因此，有必要提供一种改进的技术方案来减小电流镜电流复制的失配问题，进而提高电压比较器的内参考电压阈值的精度。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种电压比较器，其具有复制精度很高的电流镜电路，从而可以提高电压比较器的内参考电压阈值的精度。

为了解决上述问题，本发明提供一种电压比较器，其包括：电流镜电路，其包括第一输出端和第二输出端；第三电阻；第四电阻；第一双极型晶体管，其集电极与电流镜电路的第一输出端相连，其发射极与第三电阻的一端相连；第二双极型晶体管，其基极与第一双极型晶体管的基极相连，其集电极与电流镜电路的第二输出端相连，其发射极与第三电阻的另一端和第四电阻的一端相连，第四电阻的另一端接地；第二电流源，其输入端作为电压比较器的输出端，其输出端接地；第三MOS晶体管，其第一连接端与电源端相连，其第二连接端与第二电流源的输入端相连，其栅极与第二双极型晶体管的集电极相连。其中所述电流镜电路包括第一MOS晶体管、第二MOS晶体管、第一电阻、第二电阻、第一可调电阻、第二可调电阻、开关电路和校准电路，所述第一电阻的一端与电源端相连，其另一端与所述第一MOS晶体管的第一连接端相连，所述第一MOS晶体管的第二连接端与所述第一可调电阻的一端相连，所述第一可调电阻的另一端与所述第二可调电阻的一端相连，所述第二可调电阻的另一端作为所述电流镜电路的第一输出端；所述第一MOS晶体管的控制端与第一可调电阻和第二可调电阻之间的连接节点相连；所述第二电阻的一端与所述电源端相连，其另一端与所述第二MOS晶体管的第一连接端相连，所述第二MOS晶体管的第二连接端作为所述电流镜电路的第二输出端，所述开关电路包括第一开关、第二开关和第三开关，所述第一开关的一端与第二MOS晶体管的控制端相连，其另一端与第一可调电阻和第二可调电阻之间的连接节点相连；所述第二开关连接于第二MOS晶体管的控制端和所述第一可调电阻的一端之间，第三开关连接于第二MOS晶体管的控制端和第二可调电阻的另一端之间，所述校准电路包括第一输入端、第二输入端、第一输出端、第二输出端、第三输出端、第四输出端和第五输出端，其中，所述校准电路的第一输入端与所述第一电阻的另一端相连，其第二输入端与所述第二电阻的另一端相连，其第一输出端与第一开关的控制端相连，其第二输出端与第二开关的控制端相连，其第三输出端与第三开关的控制端相连，其第四输出端与第一可调电阻的调节端相连，其第五输出端与第二可调电阻的调节端相连。