[发明专利]浓硼掺杂硅纳米线压阻式MEMS压力传感器的制备方法在审
| 申请号： | 201711414428.0 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108147361A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 张明亮;季安;王晓东;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00;G01L1/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤宝平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种浓硼掺杂硅纳米线压阻式MEMS压力传感器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在单晶硅衬底上做掺杂，形成高浓度硼掺杂层；步骤2：在高浓度硼掺杂层上光刻、刻蚀，定义出硅纳米线压敏电阻；步骤3：热氧化，调节压敏电阻的硅纳米线尺寸，同时形成钝化保护层；步骤4：光刻、刻蚀，在压敏电阻的硅纳米线两端制作出电学接触孔，形成基片；步骤5：在基片的表面淀积金属层，使金属沉积在电学接触孔内，形成欧姆接触、电学互联引线和压焊焊盘；步骤6：在背面深刻蚀制作出背腔，获得感压薄膜，形成结构层；步骤7：将一玻璃层与结构层的背腔面对准键合，划片成分离压力传感器芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 硅纳米线 压敏电阻 电学接触 硼掺杂层 掺杂硅 结构层 纳米线 压阻式 背腔 刻蚀 浓硼 制备 表面淀积金属 单晶硅 传感器芯片 钝化保护层 对准键合 分离压力 金属沉积 欧姆接触 压焊焊盘 玻璃层 热氧化 深刻蚀 电学 上光 衬底 感压 光刻 划片 薄膜 背面 掺杂 互联 | ||
【主权项】：
一种浓硼掺杂硅纳米线压阻式MEMS压力传感器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在单晶硅衬底上做掺杂，形成高浓度硼掺杂层；步骤2：在高浓度硼掺杂层上光刻、刻蚀，定义出硅纳米线压敏电阻；步骤3：热氧化，调节压敏电阻的硅纳米线尺寸，同时形成钝化保护层；步骤4：光刻、刻蚀，在压敏电阻的硅纳米线两端制作出电学接触孔，形成基片；步骤5：在基片的表面淀积金属层，使金属沉积在电学接触孔内，形成欧姆接触、电学互联引线和压焊焊盘；步骤6：在背面深刻蚀制作出背腔，获得感压薄膜，形成结构层；步骤7：将一玻璃层与结构层的背腔面对准键合，划片成分离压力传感器芯片。
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