[发明专利]一种量子点膜层结构的制作方法在审
| 申请号： | 201711412991.4 | 申请日： | 2017-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN108023011A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 左洪波;刘双良;张学军 | 申请（专利权）人： | 左洪波 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/54;H01L33/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了提供一种量子点(QD)膜层结构的制作方法，属于LED领域。具体步骤为：基板清洗、烘干、刻槽或孔、在沟槽或孔内灌QD粉、沉积功能膜（防水隔绝空气薄膜），形成量子点膜层结构。本发明中将量子点封闭在功能膜层与基材薄膜层之间，一方面避免其与空气和水接触，使其可以在120℃下够长时间使用不受水和空气的影响，减少环境条件的限制；根据后续模组封装的需要，直接将量子点按一定排布形式灌注制成薄膜结构，可根据需要灵活的进行切割，甚至直接贴装，提高封装效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 点膜层 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种量子点膜层结构的制作方法，具体步骤为：基板清洗、烘干、刻槽或孔、在沟槽或孔内灌QD粉、沉积功能膜（防水隔绝空气薄膜），形成QD膜。
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