[发明专利]一种量子点膜层结构的制作方法在审

专利信息
申请号: 201711412991.4 申请日: 2017-12-24
公开(公告)号: CN108023011A 公开(公告)日: 2018-05-11
发明(设计)人: 左洪波;刘双良;张学军 申请(专利权)人: 左洪波
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50;H01L33/54;H01L33/56
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150001 黑龙江*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 一种 量子 点膜层 结构 制作方法
【权利要求书】:

1.一种量子点膜层结构的制作方法,具体步骤为:基板清洗、烘干、刻槽或孔、在沟槽或孔内灌QD粉、沉积功能膜(防水隔绝空气薄膜),形成QD膜。

2.根据权利要求1所述的一种量子点膜层结构的制作方法,其特征在于所述的基板为蓝宝石、玻璃、PET、亚克力透明材料。

3.根据权利要求1所述的一种量子点膜层结构的制作方法,其特征在于灌注的QD除了以粉末形式,还可以为QD粉分散于油墨中或者光敏胶中的形式。

4.根据权利要求1所述的一种量子点膜层结构的制作方法,其特征在于所述的防水隔绝空气功能膜层可为聚氨酯、环氧树脂、有机硅树脂、派瑞林等单层或多层复合膜结构。

5.根据权利要求1所述的一种量子点膜层结构的制作方法,其特征在于根据结构需要,功能膜层为单面镀或双面镀。

6.根据权利要求1所述的一种量子点膜层结构的制作方法,其特征在于所述的沟槽用机械、激光或黄光刻蚀方式制成。

7.根据权利要求1所述的一种量子点膜层结构的制作方法,其特征在于所述的刻蚀沟槽步骤用围坝胶代替。

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