[发明专利]一种量子点膜层结构的制作方法在审
| 申请号: | 201711412991.4 | 申请日: | 2017-12-24 |
| 公开(公告)号: | CN108023011A | 公开(公告)日: | 2018-05-11 |
| 发明(设计)人: | 左洪波;刘双良;张学军 | 申请(专利权)人: | 左洪波 |
| 主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;H01L33/54;H01L33/56 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 150001 黑龙江*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 量子 点膜层 结构 制作方法 | ||
1.一种量子点膜层结构的制作方法,具体步骤为:基板清洗、烘干、刻槽或孔、在沟槽或孔内灌QD粉、沉积功能膜(防水隔绝空气薄膜),形成QD膜。
2.根据权利要求1所述的一种量子点膜层结构的制作方法,其特征在于所述的基板为蓝宝石、玻璃、PET、亚克力透明材料。
3.根据权利要求1所述的一种量子点膜层结构的制作方法,其特征在于灌注的QD除了以粉末形式,还可以为QD粉分散于油墨中或者光敏胶中的形式。
4.根据权利要求1所述的一种量子点膜层结构的制作方法,其特征在于所述的防水隔绝空气功能膜层可为聚氨酯、环氧树脂、有机硅树脂、派瑞林等单层或多层复合膜结构。
5.根据权利要求1所述的一种量子点膜层结构的制作方法,其特征在于根据结构需要,功能膜层为单面镀或双面镀。
6.根据权利要求1所述的一种量子点膜层结构的制作方法,其特征在于所述的沟槽用机械、激光或黄光刻蚀方式制成。
7.根据权利要求1所述的一种量子点膜层结构的制作方法,其特征在于所述的刻蚀沟槽步骤用围坝胶代替。
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