[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201711405000.X | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108091665A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 王欢;李志伟;黄仁徳 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种图形传感器及其形成方法，其中，所述图形传感器包括：基底；位于所述基底表面的传感器层，所述传感器层沿平行于基底表面的方向上包括若干第一区以及位于相邻第一区之间的第二区，所述第一区传感器层内具有光电二极管；位于传感器层表面的隔离结构；位于所述第一区隔离结构表面的滤色镜；位于所述第二区隔离结构表面的阻挡层，所述阻挡层覆盖滤色镜的侧壁，所述阻挡层材料的折射率小于滤色镜材料的折射率；位于所述滤色镜表面的透镜结构。所述图像传感器能够避免发生串扰，有利于提高器件的稳定性和精确度。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器层 第一区 滤色镜 隔离结构表面 图像传感器 图形传感器 基底表面 折射率 阻挡层 光电二极管 阻挡层材料 隔离结构 透镜结构 侧壁 串扰 基底 平行 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：基底；位于所述基底表面的传感器层，所述传感器层沿平行于基底表面的方向上包括若干第一区以及位于相邻第一区之间的第二区，所述第一区传感器层内具有光电二极管；位于传感器层表面的隔离结构；位于所述第一区隔离结构表面的滤色镜；位于所述第二区隔离结构表面的阻挡层，所述阻挡层覆盖滤色镜的侧壁，所述阻挡层材料的折射率小于滤色镜材料的折射率；位于所述滤色镜表面的透镜结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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