[发明专利]图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底表面的传感器层，所述传感器层沿平行于基底表面的方向上包括若干第一区以及位于相邻第一区之间的第二区，所述第一区传感器层内具有光电二极管；

位于传感器层表面的隔离结构；

位于所述第一区隔离结构表面的滤色镜；

位于所述第二区隔离结构表面的阻挡层，所述阻挡层覆盖滤色镜的侧壁，所述阻挡层材料的折射率小于滤色镜材料的折射率；

位于所述滤色镜表面的透镜结构。

2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述阻挡层的折射率为：1.2～1.65。

3.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述阻挡层的材料包括：SiO2、MgF2、Al2O3或者Ti3O5。

4.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，一个光电二极管上的隔离结构表面具有一个滤色镜，且位于一个光电二极管上的隔离结构表面的滤色镜为红色滤色镜、绿色滤色镜或蓝色滤色镜；所述隔离结构包括：位于所述传感器层表面的第一隔离层以及位于第一隔离层表面的若干相互分离的第二隔离层；相邻所述第二隔离层之间的所述第一隔离层表面具有金属栅格，所述第二隔离层覆盖金属栅格的侧壁，且暴露出金属栅格的顶部表面；所述金属栅格的材料为金属。

5.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底表面形成传感器层，所述传感器层沿平行于基底表面的方向上包括若干第一区以及位于相邻第一区之间的第二区，所述第一区传感器层内具有光电二极管；

在所述传感器层表面形成隔离结构；

在所述第二区的隔离结构表面形成阻挡层；

在所述第一区隔离结构表面形成滤色镜，所述滤色镜覆盖阻挡层的侧壁，所述阻挡层材料的折射率小于滤色镜材料的折射率；

在所述滤色镜表面形成透镜结构。

6.如权利要求5所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的形成步骤包括：在所述隔离结构上形成阻挡膜，所述阻挡膜上具有第一图形层，所述第一图形层暴露出第一区阻挡膜的顶部表面；以所述第一图形层为掩膜，刻蚀所述阻挡膜，形成阻挡层。

7.如权利要求5所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的折射率为：1.2～1.65。

8.如权利要求7所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述阻挡膜的材料包括：SiO2、MgF2、Al2O3或者Ti3O5；所述阻挡膜的形成工艺包括：化学气相沉积工艺或者物理气相沉积工艺。

9.如权利要求5所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，一个光电二极管上的隔离结构表面具有一个滤色镜，且位于一个光电二极管上的隔离结构表面的滤色镜为红色滤色镜、绿色滤色镜或蓝色滤色镜。

10.如权利要求5所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述隔离结构包括：位于所述传感器层表面的第一隔离层以及位于第一隔离层表面若干相互分离的第二隔离层；相邻所述第二隔离层之间所述第一隔离层表面具有金属栅格，所述第二隔离层覆盖金属栅格的侧壁，且暴露出金属栅格的顶部表面；所述金属栅格的材料为金属。