[发明专利]一种集成电路用单晶硅多线切割稳定性控制方法有效
| 申请号： | 201711394793.X | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108099035B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 周静;张俊宝;陈猛 | 申请（专利权）人： | 重庆超硅半导体有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04;B28D7/00;C10M169/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400714 重庆市北碚区*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成电路用单晶硅多线切割稳定性控制方法。采用SiC颗粒和1,2‑丙二醇溶剂配制初始切割液对单晶硅进行切割，并通过在线监测切割液中碳化硅的中心粒径值R，根据切割力的变化规律在切割液中加入更大尺寸的SiC颗粒，同时，滤除小颗粒成分，以控制切割液的颗粒尺寸、比重和粘度，提高切割液的切割力以及在使用过程中的均一性，保持切割性能稳定，降低硅片的Warp、Bow值，改善硅片表面性质的稳定性，同时有效地利用切割液。 | ||
| 搜索关键词： | 切割液 单晶硅 稳定性控制 多线切割 切割力 集成电路 变化规律 硅片表面 切割性能 溶剂配制 在线监测 中心粒径 丙二醇 均一性 碳化硅 小颗粒 有效地 硅片 滤除 切割 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路用单晶硅多线切割稳定性控制方法，采用切割液在线调整方法，用SiC颗粒和1,2-丙二醇溶剂配制初始切割液，记录比重和粘度分别为ρ
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