[发明专利]一种集成电路用单晶硅多线切割稳定性控制方法

权利要求书

1.一种集成电路用单晶硅多线切割稳定性控制方法，采用切割液在线调整方法，用SiC颗粒和1,2-丙二醇溶剂配制初始切割液，记录比重和粘度分别为ρ₀和η₀；采用初始切割液进行单晶硅切割，在切割过程中在线监测切割液中碳化硅的中心粒径R，同时，滤除颗粒尺寸小于4.5μm的小颗粒成分；当R值下降8％时，加入SiC颗粒，提高切割力，从而保持切割性能稳定；

步骤一、所述的初始切割液由SiC颗粒和1,2-丙二醇溶剂构成；SiC颗粒的中心粒径R为8.0μm，记为R₀；所述切割液的制备方法为：在搅拌速度S₀为350rpm、搅拌温度为室温的条件下，向1,2-丙二醇溶剂中加入SiC颗粒，搅拌使其完全混合均匀，直至达到目标的粘度和比重；比重ρ：1.55g/mL，记为ρ₀；粘度η范围：1.6～1.9cps，记为η₀；

步骤二、所述的切割液在线调整方法，当R值满足R＝0.92R₀条件时，调整切割液，方法为在切割液中加入SiC颗粒，控制颗粒尺寸、比重和粘度；加入的SiC颗粒尺寸特征为调整后切割液的特征为：ρ₁＝1.05ρ₀，η₁>1.01η₀，此时，切割液中的SiC颗粒中心粒径发生变化，记为R₁；

步骤三、所述的切割液在线调整方法，当R值满足R＝0.92R₁条件时，调整切割液，方法为在切割液中加入SiC颗粒，控制颗粒尺寸、比重和粘度；加入的SiC颗粒尺寸：调整后切割液的特征为：ρ₂＝1.05ρ₁，η₂>1.01η₁，此时，切割液中的SiC颗粒中心粒径发生变化，记为R₂。

2.根据权利要求1所述的集成电路用单晶硅多线切割稳定性控制方法，其特征在于，循环以上步骤，当R小于6.0μm时，不再调整，报废切割液。