[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201711394666.X | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN109950313A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高磊;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底上具有凸出于衬底表面的鳍部，鳍部顶部具有至少一组堆叠结构，其中，每组堆叠结构的堆叠方向垂直衬底表面，每组堆叠结构包括第一牺牲层以及位于第一牺牲层顶部的半导体层；形成横跨堆叠结构的部分顶部和侧壁的伪栅；在伪栅两侧的堆叠结构内形成凹槽；形成填充满凹槽的第二牺牲层；在衬底上形成介质层，介质层覆盖第二牺牲层表面和伪栅侧壁；去除伪栅，形成沟槽；去除第一牺牲层，形成孔洞；形成填充满沟槽的第一金属栅和填充满孔洞的第二金属栅；去除第二牺牲层顶部的介质层，去除第二牺牲层，形成开口；形成填充满开口的应力层。本发明可避免应力层应力释放，改善半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 牺牲层 堆叠结构 去除 半导体结构 介质层 衬底 伪栅 孔洞 衬底表面 金属栅 应力层 鳍部 开口 半导体层 堆叠方向 伪栅侧壁 应力释放 侧壁 横跨 垂直 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有凸出于衬底表面的鳍部，所述鳍部顶部表面具有至少一组堆叠结构，其中，每组堆叠结构的堆叠方向垂直于所述衬底表面，且每组堆叠结构包括第一牺牲层以及位于所述第一牺牲层顶部的半导体层；形成横跨所述堆叠结构的部分顶部和侧壁表面的伪栅；在所述伪栅两侧的堆叠结构内形成凹槽；形成填充满所述凹槽的第二牺牲层；在所述衬底上形成介质层，所述介质层覆盖所述第二牺牲层表面以及所述伪栅侧壁；去除所述伪栅，形成沟槽；去除所述第一牺牲层，在所述堆叠结构内形成孔洞；形成填充满所述沟槽的第一金属栅以及填充满所述孔洞的第二金属栅；形成所述第一金属栅以及第二金属栅后，去除所述第二牺牲层顶部的所述介质层，并去除所述第二牺牲层，在所述堆叠结构内形成开口；形成填充满所述开口的应力层。
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